Примеси, находящиеся в исходном веществе, обычно подвергаются полному галогенированию. Так, при хлорировании ферросилиция, содержащего в ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Ключников Н.Г. Руководство по неорганическому синтезу


Примеси, находящиеся в исходном веществе, обычно подвергаются полному галогенированию. Так, при хлорировании ферросилиция, содержащего в виде примесей некоторое количество алюминия и марганца, продукт реакции содержит тетрахлорид кремния и хлориды железа, алюминия и марганца. Хлорид железа будет конденсироваться в более нагретой части прибора, так как даже при 194 давление его паров равно всего 1 мм рт. ст. Хлорид алюминия, обладающий большим давлением пара, будет примешиваться в небольшом количестве к тетрахло-риду кремния. Хлорид марганца останется в основном в раскаленной части прибора, так как его летучесть незначительна. Однако следы хлорида марганца попадут в тетрахлорид кремния. Объясняется это тем, что на поверхности галогенируемого вещества развивается довольно высокая температура, и надо полагать, что большинство галогенидов, даже мало летучих, как, например, хлорид марганца, могут на некоторое время переходить в парообразное состояние. Пары таких галогенидов конденсируются в газовой фазе, их мельчайшие твердые частички увлекаются током галогена и летучих галогенидов и загрязняют основной продукт реакции.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Примеси,  находящиеся в исходном веществе,  обычно подвергаются полному галогенированию.  Так,  при хлорировании ферросилиция,  содержащего в виде примесей некоторое количество алюминия и марганца,  продукт реакции содержит тетрахлорид кремния и хлориды железа,  алюминия и марганца.  Хлорид железа будет конденсироваться в более нагретой части прибора,  так как даже при 194 давление его паров равно всего 1 мм рт. ст. Хлорид алюминия,  обладающий большим давлением пара,  будет примешиваться в небольшом количестве к тетрахло-риду кремния.  Хлорид марганца останется в основном в раскаленной части прибора,  так как его летучесть незначительна.  Однако следы хлорида марганца попадут в тетрахлорид кремния.  Объясняется это тем,  что на поверхности галогенируемого вещества развивается довольно высокая температура,  и надо полагать,  что большинство галогенидов,  даже мало летучих,  как,  например,  хлорид марганца,  могут на некоторое время переходить в парообразное состояние.  Пары таких галогенидов конденсируются в газовой фазе,  их мельчайшие твердые частички увлекаются током галогена и летучих галогенидов и загрязняют основной продукт реакции.