Изменение электронного заряда Qn обусловлено тремя причинами: базовым током, рекомбинацией в базе и электронными составляющими ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем Изд3


Изменение электронного заряда Qn обусловлено тремя причинами: базовым током, рекомбинацией в базе и электронными составляющими токов / э и / к. Последние всегда отрицательны, так как в процессе инжекции электроны уходят из базы. Рекомбинационный ток тоже отрицателен, так как рекомбинация приводит к уменьшению числа электронов. Поскольку речь идет о рекомбинации неравновесных электронов, из формулы ( 1 - 516), интегрируя по объему, легко получить для этого тока значение - AQn / T, где AQn - неравновесный заряд электронов.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Изменение электронного заряда Qn обусловлено тремя причинами: базовым током, рекомбинацией в базе и электронными составляющими токов / э и / к. Последние всегда отрицательны, так как в процессе инжекции электроны уходят из базы. Рекомбинационный ток тоже отрицателен, так как рекомбинация приводит к уменьшению числа электронов. Поскольку речь идет о рекомбинации неравновесных электронов, из формулы ( 1 - 516), интегрируя по объему, легко получить для этого тока значение - AQn / T, где AQn - неравновесный заряд электронов.