Этот процесс, называемый ионным распылением, происходит в результате передачи импульса налетающих ионов частицам поверхности мишени. ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Чопра К.N. Тонкопленочные солнечные элементы


Этот процесс, называемый ионным распылением, происходит в результате передачи импульса налетающих ионов частицам поверхности мишени. Конденсируясь на подложке, выбитые частицы образуют пленку. Процесс ионного распыления имеет ряд характерных особенностей, важных с точки зрения тонкопленочной технологии. Как правило, основная часть распыленных частиц представляет собой нейтральные атомы. Лишь небольшая их доля ( 1 %) оказывается положительно или отрицательно заряженной. Среди выбиваемых частиц содержится также некоторое количество молекулярных или многоатомных кластеров, зависящее от параметров процесса распыления и материала мишени. Коэффициент распыления, определяемый как число атомов, выбитых из мишени одним падающим ионом, возрастает при увеличении энергии и массы ионов. Типичные зависимости коэффициента распыления от энергии ионов Си, Ni и Мо представлены на рис. 2.2. В большинстве, случаев при э-нергии ионов, превышающей несколько тысяч электронвольт, коэффициент распыления увеличивается очедь медленно с ростом энергии ионов. Коэффициент распыления зависит от угла падения ионов ( см. рис. 2.2) и изменяется пропорционально ( cos6) 1, где 6 - угол между нормалью к поверхности мишени и направлением движения ионов. Как видно из рис. 2.2, на котором представлены скорости ионного травления различных материалов, наблюдаются отклонения от этой зависимости. В поведении коэффициента распыления существуют также изменения периодического характера, совпадающие с периодичностью свойств элементов в таблице Менделеева. Однако коэффициенты распыления различных элементов ионами Аг с энергией 1 кэВ отличаются друг от друга не более чем в 5 раз. Коэффициент распыления монокристаллических мишеней возрастает при уменьшении глубины проникновения ионов в кристалл в направлении распространения ионного пучка. Распределение выбиваемых частиц по энергиям подчиняется закону Максвелла и простирается далеко в область высоких энергий.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Этот процесс,   называемый ионным распылением,  происходит в результате передачи импульса налетающих ионов частицам поверхности мишени.  Конденсируясь на подложке,    выбитые частицы образуют пленку.  Процесс ионного распыления имеет ряд характерных особенностей,  важных с точки зрения тонкопленочной технологии.  Как правило,  основная часть распыленных частиц представляет собой нейтральные атомы.  Лишь небольшая их доля ( 1 %) оказывается положительно или отрицательно заряженной.  Среди выбиваемых частиц содержится также некоторое количество молекулярных или многоатомных кластеров,    зависящее от параметров процесса распыления и материала мишени.  Коэффициент распыления,  определяемый как число атомов,  выбитых из мишени одним падающим ионом,  возрастает при увеличении энергии и массы ионов.  Типичные зависимости коэффициента распыления от энергии ионов Си,  Ni и Мо представлены на рис. 2.2. В большинстве,    случаев при э-нергии ионов,  превышающей несколько тысяч электронвольт,    коэффициент распыления увеличивается очедь медленно с ростом энергии ионов.  Коэффициент распыления зависит от угла падения ионов ( см. рис. 2.2) и изменяется пропорционально ( cos6) 1,  где 6  -  угол между нормалью к поверхности мишени и направлением движения ионов.  Как видно из рис. 2.2,    на котором представлены скорости ионного травления различных материалов,  наблюдаются отклонения от этой зависимости.  В поведении коэффициента распыления существуют также изменения периодического характера,     совпадающие с периодичностью свойств элементов в таблице Менделеева.  Однако коэффициенты распыления различных элементов ионами Аг с энергией 1 кэВ отличаются друг от друга не более чем в 5 раз.  Коэффициент распыления монокристаллических мишеней возрастает при уменьшении глубины проникновения ионов в кристалл в направлении распространения ионного пучка.  Распределение выбиваемых частиц по энергиям подчиняется закону Максвелла и простирается далеко в область высоких энергий.