Переход рабочей точки из режима отсечки в режим насыщения также не происходит мгновенно. Необходимо некоторое ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Воронков Э.Н. Основы проектирования усилительных и импульсных схем на транзисторах


Переход рабочей точки из режима отсечки в режим насыщения также не происходит мгновенно. Необходимо некоторое время, чтобы в базе установилось распределение инжектированных дырок, соответствующее режиму насыщения, что будет определяться скоростью протекания диффузионных процессов.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

 Переход рабочей точки из режима отсечки в режим насыщения также не происходит мгновенно.  Необходимо некоторое время,  чтобы в базе установилось распределение инжектированных дырок,  соответствующее режиму насыщения,  что будет определяться скоростью протекания диффузионных процессов.