При обосновании механизма поверхностной диффузии, согласно Дж. Бокрису, рассматривают различие в степени сольватации адионов на ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Дамаскин Б.Б. Введение в электрохимическую кинетику 1983


При обосновании механизма поверхностной диффузии, согласно Дж. Бокрису, рассматривают различие в степени сольватации адионов на поверхности грани и в месте роста, обусловленное стерическими условиями. При адсорбции на поверхности грани десольватация иона оказывается наименьшей, тогда как адсорбция в месте k ( см. рис. 169) требует значительной десольватации иона и потому может оказаться энергетически невыгодной, В результате разряд будет происходить преимущественно на поверхности грани. В ходе последующей диффузии к месту роста наблюдается постепенная десольватация адиона.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

При обосновании механизма поверхностной диффузии,  согласно Дж.  Бокрису,  рассматривают различие в степени сольватации адионов на поверхности грани и в месте роста,  обусловленное стерическими условиями.  При адсорбции на поверхности грани десольватация иона оказывается наименьшей,  тогда как адсорбция в месте k ( см. рис. 169) требует значительной десольватации иона и потому может оказаться энергетически невыгодной,  В результате разряд будет происходить преимущественно на поверхности грани.  В ходе последующей диффузии к месту роста наблюдается постепенная десольватация адиона.