При обосновании механизма поверхностной диффузии, согласно Дж. Бокрису, рассматривают различие в степени сольватации адионов на ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Дамаскин Б.Б.
Введение в электрохимическую кинетику 1983
При обосновании механизма поверхностной диффузии, согласно Дж. Бокрису, рассматривают различие в степени сольватации адионов на поверхности грани и в месте роста, обусловленное стерическими условиями. При адсорбции на поверхности грани десольватация иона оказывается наименьшей, тогда как адсорбция в месте k ( см. рис. 169) требует значительной десольватации иона и потому может оказаться энергетически невыгодной, В результате разряд будет происходить преимущественно на поверхности грани. В ходе последующей диффузии к месту роста наблюдается постепенная десольватация адиона.