Плотность состояний на границе раздела Si - SiO2 не превышает 1011 см-2, причем в основном ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Главная
Карта сайта
Поиск +
Поиск по рисункам
Помощь
Выдержка из книги Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов Издание 2
Плотность состояний
на границе раздела Si - SiO2 не превышает 1011 см-2, причем в основном это быстрые состояния.
(cкачать страницу)
Смотреть книгу на
libgen
Поделиться ссылкой: