Плотность состояний на границе раздела Si - SiO2 не превышает 1011 см-2, причем в основном ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов Издание 2


Плотность состояний на границе раздела Si - SiO2 не превышает 1011 см-2, причем в основном это быстрые состояния.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

 Плотность состояний на границе раздела Si  -  SiO2 не превышает 1011 см-2,  причем в основном это быстрые состояния.