Выдержка из книги
Курносов А.И.
Полупроводниковая микроэлектроника
Типичный эмиттерный переход в интегральном устройстве обладает емкостью порядка Ю5пф / см., в то время как переход коллектор-база HMeef емкость примерно на порядок меньше. Конденсатор, сделанный из эмиттерного перехода, будет иметь пробивное напряжение, равное приблизительно 6 в, что ограничивает его применимость.