На рис. 2 демонстрируется группа дислокаций, генерированных единичным дислокационным источником в монокристалле GaSb. Интересно отметить, ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Кузнецов Ф.А.
Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Ч 2
На рис. 2 демонстрируется группа дислокаций, генерированных единичным дислокационным источником в монокристалле GaSb. Интересно отметить, что интенсивность аномального прохождения рентгеновских лучей в области локального скопления дислокаций и четкость изображения отдельных дислокаций в скоплении зависят от направления вектора дифракции. Неоднородность аномального прохождения в отражении ( 220) ( см. рис. 1, б) характерна также для участка А-большой плотности скопления дислокаций вблизи периферии кристалла.
