Наиболее пригодной для микромощных ИМС является одно-полосковая конструкция транзистора, показанная на рис. 2.17, а. Для ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Наиболее пригодной для микромощных ИМС является одно-полосковая конструкция транзистора, показанная на рис. 2.17, а. Для двухбазовой полосковой конструкции ( рис. 2.17, 6, в) характерно низкое сопротивление базовой области и повышенный по сравнению с предыдущей конструкцией коэффициент передачи тока.