Наиболее пригодной для микромощных ИМС является одно-полосковая конструкция транзистора, показанная на рис. 2.17, а. Для ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Ефимов И.Е. Микроэлектроника


Наиболее пригодной для микромощных ИМС является одно-полосковая конструкция транзистора, показанная на рис. 2.17, а. Для двухбазовой полосковой конструкции ( рис. 2.17, 6, в) характерно низкое сопротивление базовой области и повышенный по сравнению с предыдущей конструкцией коэффициент передачи тока.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Наиболее пригодной для микромощных ИМС является одно-полосковая конструкция транзистора,  показанная на рис. 2.17,  а.  Для двухбазовой полосковой конструкции ( рис. 2.17,  6,  в) характерно низкое сопротивление базовой области и повышенный по сравнению с предыдущей конструкцией коэффициент передачи тока.