Подпитка включается в том, что по мере выращивания монокристалла, легированного элементом с k 1, в ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Филькевич Э.С. Технология полупроводникового кремния


Подпитка включается в том, что по мере выращивания монокристалла, легированного элементом с k 1, в расплав вводится достаточно чистый исходный материал в таком количестве, чтобы его поступление обеспечивало поддержание концентрации легирующего элемента на постоянном уровне.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

 Подпитка включается в том,  что по мере выращивания монокристалла,  легированного элементом с k 1,  в расплав вводится достаточно чистый исходный материал в таком количестве,  чтобы его поступление обеспечивало поддержание концентрации легирующего элемента на постоянном уровне.