Выдержка из книги
Филькевич Э.С.
Технология полупроводникового кремния
Подпитка включается в том, что по мере выращивания монокристалла, легированного элементом с k 1, в расплав вводится достаточно чистый исходный материал в таком количестве, чтобы его поступление обеспечивало поддержание концентрации легирующего элемента на постоянном уровне.