Каждая последующая подсветка вызывает в 2 раза большее напряжение фотопроводимости АУф.п. 1 / д0ф п ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Фрумкин А.Н. Поверхностные свойства полупроводников


Каждая последующая подсветка вызывает в 2 раза большее напряжение фотопроводимости АУф.п. 1 / д0ф п где I - ток через образец, а Дофп - изменение проводимости образца под влиянием подсветки. Времена релаксации, найденные ив вначевий круговых частот, при которых наблюдаются максимумы 1тр1Вфф ( /), линейно совпадают с логарифмом дуф.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Каждая последующая подсветка вызывает в 2 раза большее напряжение фотопроводимости АУф.п. 1 / д0ф п где I  -  ток через образец,  а Дофп  -  изменение проводимости образца под влиянием подсветки.  Времена релаксации,  найденные ив вначевий круговых частот,  при которых наблюдаются максимумы 1тр1Вфф ( /),  линейно совпадают с логарифмом дуф.