Выдержка из книги
Фрумкин А.Н.
Поверхностные свойства полупроводников
Каждая последующая подсветка вызывает в 2 раза большее напряжение фотопроводимости АУф.п. 1 / д0ф п где I - ток через образец, а Дофп - изменение проводимости образца под влиянием подсветки. Времена релаксации, найденные ив вначевий круговых частот, при которых наблюдаются максимумы 1тр1Вфф ( /), линейно совпадают с логарифмом дуф.