Выдержка из книги
Викулин И.М.
Физика полупроводниковых приборов
Дальнейшее увеличение тока до h и уменьшение напряжения на р-л-р-л - структуре до У0ст связано с уменьшением сопротивления баз инжектированными носителями и распространением включенного состояния на всю площадь р-л-р-я - структуры.
