По-видимому, это означает, что при очень низких кинетических энергиях столкновения частиц нельзя рассматривать как независимые ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Майссела Л.N. Технология тонких пленок Часть 1


По-видимому, это означает, что при очень низких кинетических энергиях столкновения частиц нельзя рассматривать как независимые парные столкновения. В столкновение могут вовлекаться другие соседние атомы, и это потребует введения некоторых эффективных атомных масс. В случае кинетических энергий, значительно превышающих пороговую, имеется весьма убедительное доказательство того, что распыление является результатом ряда независимых парных столкновений такого же типа, как если бы ион ( или нейтрализованный ион) сталкивался с атомами облака газа. Здесь, конечно, решающую роль играют отдельные массы каждой из сталкивающихся частиц. Распыление атомов или ионов, являющееся результатом единичного столкновения между ионом н поверхностным атомом, можно обнаружить только при наклонной бомбардировке. Представления биллиардной игры применимы также и к бомбардирующему иону. Если его масса меньше массы атома мишени, он может быть рассеян или отражен обратно в результате единичного столкновения. Если же масса иона больше массы атома мишени, то он может отразиться обратно только в результате более чем одного столкновения. При кинетических энергиях, превышающих примерно 100 эВ, ионы начинают внедряться в кристаллическую решетку мишени. Структура и ориентация кристалла являются важными факторами, определяющими глубину проникновения. По мере того, как происходит распыление, устанавливается равновесное состояние, при котором внедренные ионы распыляются так же, как и атомы мишени. Эффекты распыления, вызываемые бомбардировкой молекулярными ионами, можно легко объяснить на основе представлении, развитых для процесса бомбардировки одиночными атомами, если предположить, что атомы, составляющие молекулу, падают на мишень с той же скоростью, что и молекула. Когда скорости бомбардирующих ионов достигают 10е - 107 см / с, к потенциальной Оже-эмиссии вторичных электронов добавляется кинетическая эмиссия вторичных электронов. Коэффициент вторичной эмиссии v может составлять много электронов на один падающий ион. Если проводится рыспыление при энергиях ионов выше 8 кэВ, следует помнить об опасности рентгеновского излучения, которое могут вызвать эти вторичные электроны.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

По-видимому, это означает, что при очень низких кинетических энергиях столкновения частиц нельзя рассматривать как независимые парные столкновения. В столкновение могут вовлекаться другие соседние атомы, и это потребует введения некоторых эффективных атомных масс. В случае кинетических энергий, значительно превышающих пороговую, имеется весьма убедительное доказательство того, что распыление является результатом ряда независимых парных столкновений такого же типа, как если бы ион ( или нейтрализованный ион) сталкивался с атомами облака газа. Здесь, конечно, решающую роль играют отдельные массы каждой из сталкивающихся частиц. Распыление атомов или ионов, являющееся результатом единичного столкновения между ионом н поверхностным атомом, можно обнаружить только при наклонной бомбардировке. Представления биллиардной игры применимы также и к бомбардирующему иону. Если его масса меньше массы атома мишени, он может быть рассеян или отражен обратно в результате единичного столкновения. Если же масса иона больше массы атома мишени, то он может отразиться обратно только в результате более чем одного столкновения. При кинетических энергиях, превышающих примерно 100 эВ, ионы начинают внедряться в кристаллическую решетку мишени. Структура и ориентация кристалла являются важными факторами, определяющими глубину проникновения. По мере того, как происходит распыление, устанавливается равновесное состояние, при котором внедренные ионы распыляются так же, как и атомы мишени. Эффекты распыления, вызываемые бомбардировкой молекулярными ионами, можно легко объяснить на основе представлении, развитых для процесса бомбардировки одиночными атомами, если предположить, что атомы, составляющие молекулу, падают на мишень с той же скоростью, что и молекула. Когда скорости бомбардирующих ионов достигают 10е - 107 см / с, к потенциальной Оже-эмиссии вторичных электронов добавляется кинетическая эмиссия вторичных электронов. Коэффициент вторичной эмиссии v может составлять много электронов на один падающий ион. Если проводится рыспыление при энергиях ионов выше 8 кэВ, следует помнить об опасности рентгеновского излучения, которое могут вызвать эти вторичные электроны.