Диффузионный резистор на основе базового р-слоя транзисторной структуры показан на рис. 3.5, а. Резистор отделен ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Криштафович А.К.
Основы промышленной электроники
Диффузионный резистор на основе базового р-слоя транзисторной структуры показан на рис. 3.5, а. Резистор отделен от других элементов не менее чем двумя p - n - переходами, включенными встречно. При этом при любой полярности приложенного напряжения система встречно включенных р-и-переходов будет заперта.
