Выдержка из книги
Бергельсон И.Г.
Транзисторы, Параметры, методы измерений и испытаний
Одна из моделей рассматривает переход база - коллектор в насыщенном режиме как прямосмещенньтй диод и процесс выхода из насыщения транзистора рассчитывается по формулам, аналогичным формулам для определения длительности полочки при восстановлении обратного сопротивления диодов.
