Выдержка из книги
Нашельский А.Я.
Технология полупроводниковых материалов
Переход примеси из подложки в газовую фазу осуществляется одновременно с обеих сторон - рабочей и обратной. Для уменьшения процесса автолегирования обратную сторону подложки маскируют, нанося на нее слой защитного покрытия из оксида кремния ( IV), нитрида кремния или чистого нелегированного полупроводника. Обычно толщина такого слоя составляет 12 - 15 мкм.
