Отдельные факты, указывающие на роль дефектов в кинетике химических реакций твердых тел, известны давно. К ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Фрумкин А.Н. Поверхностные свойства полупроводников


Отдельные факты, указывающие на роль дефектов в кинетике химических реакций твердых тел, известны давно. К ним принадлежит, например, снятие периода индукции для обезвоживания монокристаллов некоторых кристаллогидратов после механического повреждения поверхности. При этом от места повреждения ( царапины) реакция распространяется по поверхности и в глубь кристалла. Локализация реакций у включений и дефектов хорошо известна в коррозии. Механические деформации сильно влияют на реакционную способность неорганических и органических материалов, и их химическое разрушение часто концентрируется в местах деформации. Для многих реакций твердых тел друг с другом и с газами контролирующей стадией является диффузия определенных ионов или атомов в чужой решетке, а всякая диффузия внутри кристаллов происходит по месту существующих дефектов или с образованием таких дефектов при каждом элементарном перемещении. Эту роль выполняют в первую очередь вакансии, образуемые тепловым движением.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Отдельные факты,  указывающие на роль дефектов в кинетике химических реакций твердых тел,  известны давно.  К ним принадлежит,  например,  снятие периода индукции для обезвоживания монокристаллов некоторых кристаллогидратов после механического повреждения поверхности.  При этом от места повреждения ( царапины) реакция распространяется по поверхности и в глубь кристалла.  Локализация реакций у включений и дефектов хорошо известна в коррозии.  Механические деформации сильно влияют на реакционную способность неорганических и органических материалов,  и их химическое разрушение часто концентрируется в местах деформации.  Для многих реакций твердых тел друг с другом и с газами контролирующей стадией является диффузия определенных ионов или атомов в чужой решетке,  а всякая диффузия внутри кристаллов происходит по месту существующих дефектов или с образованием таких дефектов при каждом элементарном перемещении.  Эту роль выполняют в первую очередь вакансии,  образуемые тепловым движением.