Для образования барьера Шоттки в цепи коллектора концентрация примеси в активной области полупроводникового материала не ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Хвощ С.Т. Инжекционные микропроцессоры в управлении промышленным оборудованием


Для образования барьера Шоттки в цепи коллектора концентрация примеси в активной области полупроводникового материала не должна превышать величины УУ0 Ю17 см-3. Поэтому все известные И2Л - элемента с диодами Шоттки не могут быть реализованы по стандартной биполярной технологии и требуют изменения последовательности и содержания ряда технологических операций базового процесса. На поверхности низколегированной л-области коллектора создаются диоды Шоттки с использованием в качестве барьерного металла алюминия, титана или силицида платины. Анодом диода является металлизированный контакт к области - типа, которая является катодом диода Шоттки.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Для образования барьера Шоттки в цепи коллектора концентрация примеси в активной области полупроводникового материала не должна превышать величины УУ0 Ю17 см-3.  Поэтому все известные И2Л - элемента с диодами Шоттки не могут быть реализованы по стандартной биполярной технологии и требуют изменения последовательности и содержания ряда технологических операций базового процесса.  На поверхности низколегированной л-области коллектора создаются диоды Шоттки с использованием в качестве барьерного металла алюминия,  титана или силицида платины.  Анодом диода является металлизированный контакт к области - типа,  которая является катодом диода Шоттки.