После запирания эмиттерного перехода в момент времени / 8 ( см. рис. 7.2) транзистор оказывается ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Агаханян Т.М. Расчет импульсных устройств на полупроводниковых приборах


После запирания эмиттерного перехода в момент времени / 8 ( см. рис. 7.2) транзистор оказывается в области отсечки. В схеме прекращается регенерация и начинается стадия восстановления. Поскольку транзистор работает в области отсечки, то токи базы и коллектора быстро спадают. Спад коллекторного и базового напряжений происходит по мере рассеяния анергии, запасенной в сердечнике трансформатора и в емкостях.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

После запирания эмиттерного перехода в момент времени / 8 ( см. рис. 7.2) транзистор оказывается в области отсечки.  В схеме прекращается регенерация и начинается стадия восстановления.  Поскольку транзистор работает в области отсечки,  то токи базы и коллектора быстро спадают.  Спад коллекторного и базового напряжений происходит по мере рассеяния анергии,  запасенной в сердечнике трансформатора и в емкостях.