Предположим теперь, что напряжение прямого смещения увеличивается. Сопротивление рп-пе-рехода при этом резко уменьшается. В этом ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Сугайто Т.N. Введение в микроэлектронику


Предположим теперь, что напряжение прямого смещения увеличивается. Сопротивление рп-пе-рехода при этом резко уменьшается. В этом случае проявляется объемное сопротивление полупроводникового кристалла. Большая часть падения напряжения приходится на объем полупроводника, а напряжение, приходящееся на рп-переход, не превышает величины Уь - При дальнейшем увеличении тока напряжение на pn - переходе уже составит VVa-IR, где R - сопротивление, соединенное последовательно с pn - переходом, Va - внешнее приложенное напряжение. Это напряжение V и следует использовать в выражении (3.21) при большом уровне ин-жекции.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Предположим теперь, что напряжение прямого смещения увеличивается. Сопротивление рп-пе-рехода при этом резко уменьшается. В этом случае проявляется объемное сопротивление полупроводникового кристалла. Большая часть падения напряжения приходится на объем полупроводника, а напряжение, приходящееся на рп-переход, не превышает величины Уь - При дальнейшем увеличении тока напряжение на pn - переходе уже составит VVa-IR, где R - сопротивление, соединенное последовательно с pn - переходом, Va - внешнее приложенное напряжение. Это напряжение V и следует использовать в выражении (3.21) при большом уровне ин-жекции.