На растущей грани вхождение ионов в кристаллическую решетку в каждый момент времени происходит но фронту ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Кабанов Б.Н. Электрохимия металлов и адсорбция


На растущей грани вхождение ионов в кристаллическую решетку в каждый момент времени происходит но фронту роста пакетов и, вероятно, преимущественно в конце незаконченных рядов атомов, а не по всей поверхности грани. Поэтому при недостаточно большой поверхностной диффузии или миграции разряд ионов может происходить не равномерно по поверхности грани, а преимущественно у точек роста. Кроме того, обычно не все грани кристалла растут с одинаковой скоростью. Поэтому средние значения плотности тока, отнесенные к общей геометрической поверхности кристалла, часто не имеют определенного физического смысла.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

На растущей грани вхождение ионов в кристаллическую решетку в каждый момент времени происходит но фронту роста пакетов и,  вероятно,  преимущественно в конце незаконченных рядов атомов,  а не по всей поверхности грани.  Поэтому при недостаточно большой поверхностной диффузии или миграции разряд ионов может происходить не равномерно по поверхности грани,  а преимущественно у точек роста.  Кроме того,  обычно не все грани кристалла растут с одинаковой скоростью.  Поэтому средние значения плотности тока,  отнесенные к общей геометрической поверхности кристалла,  часто не имеют определенного физического смысла.