Выдержка из книги
Кабанов Б.Н.
Электрохимия металлов и адсорбция
На растущей грани вхождение ионов в кристаллическую решетку в каждый момент времени происходит но фронту роста пакетов и, вероятно, преимущественно в конце незаконченных рядов атомов, а не по всей поверхности грани. Поэтому при недостаточно большой поверхностной диффузии или миграции разряд ионов может происходить не равномерно по поверхности грани, а преимущественно у точек роста. Кроме того, обычно не все грани кристалла растут с одинаковой скоростью. Поэтому средние значения плотности тока, отнесенные к общей геометрической поверхности кристалла, часто не имеют определенного физического смысла.