На рис. 4.29 приведено распределение концентрации примеси в кристалле транзистора, полученного методом двойной диффузии. Для ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Овечкин Ю.А.
Полупроводниковые приборы 1979
На рис. 4.29 приведено распределение концентрации примеси в кристалле транзистора, полученного методом двойной диффузии. Для изготовления такого транзистора пластинку кремния, легированную донорной примесью, помещают в диффузионную печь вместе с некоторым количеством донорной и акцепторной примесей.
