Если средняя длина свободного пробега иона много короче R, то рекомбинация осуществляется посредством амбиполярной диффузии ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Звелто О.N. Принципы лазеров


Если средняя длина свободного пробега иона много короче R, то рекомбинация осуществляется посредством амбиполярной диффузии к стенкам сосуда. Это означает, что как электроны, так и ионы диффундируют к стенкам. Если бы одна из заряженных частиц, скажем, электрон, благодаря своей более высокой подвижности диффундировала с более высокой скоростью, то в радиальном направлении возникло бы сильное электрическое поле. Согласно этой теории, радиальное распределение плотности электронов в разряде изменяется по закону / о ( 2 4 r / R), где / о-функция Бесселя нулевого порядка.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Если средняя длина свободного пробега иона много короче R,  то рекомбинация осуществляется посредством амбиполярной диффузии к стенкам сосуда.  Это означает,  что как электроны,  так и ионы диффундируют к стенкам.  Если бы одна из заряженных частиц,  скажем,  электрон,  благодаря своей более высокой подвижности диффундировала с более высокой скоростью,  то в радиальном направлении возникло бы сильное электрическое поле.  Согласно этой теории,  радиальное распределение плотности электронов в разряде изменяется по закону / о ( 2 4 r / R),  где / о-функция Бесселя нулевого порядка.