Легирующая примесь содержала радиоактивный изотоп Те137, что позволило определить распределение концентрации теллура по длине кристаллов ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Кузнецов Ф.А.
Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Ч 2
Легирующая примесь содержала радиоактивный изотоп Те137, что позволило определить распределение концентрации теллура по длине кристаллов по радиоактивности пластин, вырезанных нормально оси роста из разных частей слитка. Полученные значения коэффициентов распределения теллура приведены в таблице. Видно, что в случае когда содержание теллура в исходном расплаве составляло Ю19 ат / см3 и концентрация его в кристалле была существенно меньше собственной концентрации носителей тока при температуре плавления GaAs ( IG A 2 4 - 1019 см-3 [8]), коэффициент распределения теллура зависит от того, какому политермическому разрезу диаграммы состояния соответствует фигуративная точка исходного расплава.
![Легирующая примесь содержала радиоактивный изотоп Те137, что позволило определить распределение концентрации теллура по длине кристаллов по радиоактивности пластин, вырезанных нормально оси роста из разных частей слитка. Полученные значения коэффициентов распределения теллура приведены в таблице. Видно, что в случае когда содержание теллура в исходном расплаве составляло Ю19 ат / см3 и концентрация его в кристалле была существенно меньше собственной концентрации носителей тока при температуре плавления GaAs ( IG A 2 4 - 1019 см-3 [8]), коэффициент распределения теллура зависит от того, какому политермическому разрезу диаграммы состояния соответствует фигуративная точка исходного расплава.](/pic/5958430EIHwDmH0039368505.png)