Более совершенные теории [6-8], в общем, действительно подтвердили, что при больших скоростях кристаллизации перед фронтом ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Александров Л.И.
Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Часть 1
Более совершенные теории [6-8], в общем, действительно подтвердили, что при больших скоростях кристаллизации перед фронтом роста создается эффективное переохлаждение. Его возникновение делает неустойчивой поверхность раздела фаз, что приводит к несовершенству вырастающего кристалла. К сожалению, условия роста, анализируемые в [2-8], предполагаются изотермическими. Это не вполне отвечает тем условиям, которые наблюдаются при техническом выращивании кристаллов методами Чохральского и зонной плавки, когда рост вызывается механическим перемещением внешнего градиента температур, а теплопотери в среду могут играть значительную роль.