Более совершенные теории [6-8], в общем, действительно подтвердили, что при больших скоростях кристаллизации перед фронтом ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Александров Л.И. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Часть 1


Более совершенные теории [6-8], в общем, действительно подтвердили, что при больших скоростях кристаллизации перед фронтом роста создается эффективное переохлаждение. Его возникновение делает неустойчивой поверхность раздела фаз, что приводит к несовершенству вырастающего кристалла. К сожалению, условия роста, анализируемые в [2-8], предполагаются изотермическими. Это не вполне отвечает тем условиям, которые наблюдаются при техническом выращивании кристаллов методами Чохральского и зонной плавки, когда рост вызывается механическим перемещением внешнего градиента температур, а теплопотери в среду могут играть значительную роль.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Более совершенные теории [6-8],  в общем,  действительно подтвердили,  что при больших скоростях кристаллизации перед фронтом роста создается эффективное переохлаждение.  Его возникновение делает неустойчивой поверхность раздела фаз,  что приводит к несовершенству вырастающего кристалла.  К сожалению,  условия роста,  анализируемые в [2-8],  предполагаются изотермическими.  Это не вполне отвечает тем условиям,  которые наблюдаются при техническом выращивании кристаллов методами Чохральского и зонной плавки,  когда рост вызывается механическим перемещением внешнего градиента температур,  а теплопотери в среду могут играть значительную роль.