Свойства первых участков пленки, прилежащих к подложке, отличаются от свойств остального объема ее, вследствие чего ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Александров Л.И.
Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Часть 1
Свойства первых участков пленки, прилежащих к подложке, отличаются от свойств остального объема ее, вследствие чего образуется переходная область. Вероятнее всего [1], загрязнения и дефекты поверхностей подложек; кинетические и термодинамические условия начальной стадии роста, связанные с локальным пересыщением у поверхности подложки, изменением геометрии и состояния поверхности; зародышеобразование, обусловленное как состоянием и температурой поверхности подложки, так и величиной пересыщения; диффузия примесей из подложки и автолегирование пленки подложкой через газовую фазу.
![Свойства первых участков пленки, прилежащих к подложке, отличаются от свойств остального объема ее, вследствие чего образуется переходная область. Вероятнее всего [1], загрязнения и дефекты поверхностей подложек; кинетические и термодинамические условия начальной стадии роста, связанные с локальным пересыщением у поверхности подложки, изменением геометрии и состояния поверхности; зародышеобразование, обусловленное как состоянием и температурой поверхности подложки, так и величиной пересыщения; диффузия примесей из подложки и автолегирование пленки подложкой через газовую фазу.](/pic/6012192ES1Zb310045182986.png)