Для того, чтобы эффективно управлять проводимостью канала при все уменьшающихся топологических размерах МДП-транзисторов, необходимо использовать ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Для того, чтобы эффективно управлять проводимостью канала при все уменьшающихся топологических размерах МДП-транзисторов, необходимо использовать все более тонкие слои двуокиси кремния. Уже сейчас есть сведения о создании МДП-транзисторов с толщиной диэлектрика 0 8 нм. Однако при толщине 1 2 нм слои двуокиси кремния теряют свои диэлектрические свойства. Это вызывает необходимость создания альтернативных подзатворных материалов, имеющих эквивалентную толщину 1 2 нм. Эквивалентная толщина диэлектрика определяется как толщина слоя SiO2 с еох - 3 9, имеющего ту же емкость, что и альтернативный диэлектрик с большей величиной относительной диэлектрической проницаемости. При толщине 1 2 нм у SiO2 увеличиваются токи утечки затвора, возрастает рассеивание носителей в канале, повышается проникновение примесей, усиливаются деградационные процессы.
