Характерно, что такое же действие на ползучесть монокристаллов свинца - смещение предела текучести и всей ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Ребиндер П.А. Успехи коллоидной химии 1973


Характерно, что такое же действие на ползучесть монокристаллов свинца - смещение предела текучести и всей реологической кривой ( но в обратном направлении - в сторону больших напряжений) вызывают твердые пленки соответствующей толщины на поверхности образцов, например окиси свинца или поликристаллического цинка. Эти результаты в сопоставлении с известными данными о пластифицировании металлов при адсорбции органических ПАВ позволяют уточнить наши представления о роли поверхностного потенциального барьера, препятствующего движению дислокаций в приповерхностном слое металла, и о механизме адсорбционного пластифицирования, который состоит в облегчении перемещения дислокационных сегментов в относительно глубоком приповерхностном слое ( например до десятков микрон), что обусловливается при понижении свободной поверхностной энергии соответствующим уменьшением работы элементарного акта развития новых моноатомных ячеек поверхности при ее прочерчивании точками выхода дислокаций.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Характерно,  что такое же действие на ползучесть монокристаллов свинца - смещение предела текучести и всей реологической кривой ( но в обратном направлении  -  в сторону больших напряжений) вызывают твердые пленки соответствующей толщины на поверхности образцов,  например окиси свинца или поликристаллического цинка.  Эти результаты в сопоставлении с известными данными о пластифицировании металлов при адсорбции органических ПАВ позволяют уточнить наши представления о роли поверхностного потенциального барьера,  препятствующего движению дислокаций в приповерхностном слое металла,  и о механизме адсорбционного пластифицирования,  который состоит в облегчении перемещения дислокационных сегментов в относительно глубоком приповерхностном слое ( например до десятков микрон),  что обусловливается при понижении свободной поверхностной энергии соответствующим уменьшением работы элементарного акта развития новых моноатомных ячеек поверхности при ее прочерчивании точками выхода дислокаций.