В обычном состоянии в полупроводнике имеет место так называемое равновесное распределение носителей ( электронов и ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Базаров В.К. Полупроводниковые лазеры и их применение


В обычном состоянии в полупроводнике имеет место так называемое равновесное распределение носителей ( электронов и дырок) по энергетическим уровням, подчиняющееся закону, выражаемому соответствующими функциями Ферми. В этих условиях количество электронов на нижних энергетических уровнях всегда превышает количество электронов, находящихся на верхних ( возбужденных) уровнях энергии. Поскольку нижние уровни энергии заселены электронами более густо, в такой системе вероятность поглощения падающей извне энергии больше, чем вероятность излучения энергии при обратном переходе электрона на более низкий уровень. Отсюда следует, что квантовая система, находящаяся в состоянии теплового равновесия, не может усиливать падающее на нее излучение.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

В обычном состоянии в полупроводнике имеет место так называемое равновесное распределение носителей ( электронов и дырок) по энергетическим уровням, подчиняющееся закону, выражаемому соответствующими функциями Ферми. В этих условиях количество электронов на нижних энергетических уровнях всегда превышает количество электронов, находящихся на верхних ( возбужденных) уровнях энергии. Поскольку нижние уровни энергии заселены электронами более густо, в такой системе вероятность поглощения падающей извне энергии больше, чем вероятность излучения энергии при обратном переходе электрона на более низкий уровень. Отсюда следует, что квантовая система, находящаяся в состоянии теплового равновесия, не может усиливать падающее на нее излучение.