Изучение влияния давления [43] и влияния бромирования [49] на электропроводность кристаллов ( SN) весьма подкрепляет ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Поуп М.N. Электронные процессы в органических кристаллах Т2


Изучение влияния давления [43] и влияния бромирования [49] на электропроводность кристаллов ( SN) весьма подкрепляет предположение о том, что в нормальном состоянии основной вклад в электропроводность дают процессы электрон-электронного рассеяния. Под давлением величина а увеличивается более чем на 40 % на 1 кбар, что указывает на чувствительность электрон-дырочных процессов рассеяния к особенностям поверхности Ферми. Из-за хрупкого баланса электронных и дырочных карманов вблизи поверхности Ферми, которая в свою очередь чувствительна к изменению значений постоянных обратной решетки, изменение давления должно сильно влиять на электрон-электронное рассеяние. Однако в случае бромированного ( SN) значение а увеличивается только на 1 3 % на 1 кбар. Такое подавление зависимости электропроводности от давления в бромированном ( SN) X возникает из-за того, что перенос заряда на интеркалированные атомы брома понижает энергию Ферми на величину - 1 эВ, сужая ( или, возможно, уничтожая), таким образом, электронные карманы и уменьшая эффективность электрон-электронного рассеяния. Так, из рис. 5.5.3, можно видеть, что изъятие электронов из цепочек ( SN) сдвигает уровень EF в область, которая вообще не содержит карманов. Как уменьшение плотности электронов, так и изъятие набора уровней энергии, на которые происходит рассеяние, уменьшают эффекты рассеяния. Изменения давления при этом не передвигают поверхность Ферми к какой-либо существенным образом отличающейся конфигурации в отношении процессов рассеяния. Подобная температурная зависимость электропроводности ( типа Т 2) наблюдалась и в соединениях TTF - TCNQ, однако в этом случае объяснение температурной зависимости процессами электрон-электронного рассеяния некорректно, поскольку здесь налицо существенные температурные изменения значений параметров решетки ( см. разд.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Изучение влияния давления [43] и влияния бромирования [49] на электропроводность кристаллов ( SN) весьма подкрепляет предположение о том, что в нормальном состоянии основной вклад в электропроводность дают процессы электрон-электронного рассеяния. Под давлением величина а увеличивается более чем на 40 % на 1 кбар, что указывает на чувствительность электрон-дырочных процессов рассеяния к особенностям поверхности Ферми. Из-за хрупкого баланса электронных и дырочных карманов вблизи поверхности Ферми, которая в свою очередь чувствительна к изменению значений постоянных обратной решетки, изменение давления должно сильно влиять на электрон-электронное рассеяние. Однако в случае бромированного ( SN) значение а увеличивается только на 1 3 % на 1 кбар. Такое подавление зависимости электропроводности от давления в бромированном ( SN) X возникает из-за того, что перенос заряда на интеркалированные атомы брома понижает энергию Ферми на величину - 1 эВ, сужая ( или, возможно, уничтожая), таким образом, электронные карманы и уменьшая эффективность электрон-электронного рассеяния. Так, из рис. 5.5.3, можно видеть, что изъятие электронов из цепочек ( SN) сдвигает уровень EF в область, которая вообще не содержит карманов. Как уменьшение плотности электронов, так и изъятие набора уровней энергии, на которые происходит рассеяние, уменьшают эффекты рассеяния. Изменения давления при этом не передвигают поверхность Ферми к какой-либо существенным образом отличающейся конфигурации в отношении процессов рассеяния. Подобная температурная зависимость электропроводности ( типа Т 2) наблюдалась и в соединениях TTF - TCNQ, однако в этом случае объяснение температурной зависимости процессами электрон-электронного рассеяния некорректно, поскольку здесь налицо существенные температурные изменения значений параметров решетки ( см. разд.