Выдержка из книги
Пасынков В.В.
Полупроводниковые приборы Издание 3
Этот общий для различных приборов принцип усиления мощности был рассмотрен в § 4.2 для объяснения усиления по мощности биполярных транзисторов. В МДП-транзисторе до возникновения канала почти все напряжение источника питания в цепи стока падало на полупроводнике между истоком и стоком, создавая относительно большую постоянную составляющую напряженности электрического поля. Под действием напряжения на затворе в полупроводнике под затвором возникает канал, по которому от истока к стоку движутся носители заряда - дырки.
