Расходимость коэффициентов электрострикции непосредственно связана с тем, что вблизи Тк приложение электрического поля приводит к ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Струков Б.А.
Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах
Расходимость коэффициентов электрострикции непосредственно связана с тем, что вблизи Тк приложение электрического поля приводит к появлению больших значений т ], мы с этим сталкивались уже при рассмотрении диэлектрических аномалий в собственных сегнетоэлектриках ( см. гл. В этом смысле говорят, что рассматриваемая аномалия электрострикционной константы является следствием диэлектрической аномалии. Истинная же элект-рострикционная константа не аномальна. Истинной называют константу, связывающую деформацию с квадратом поляризации. Нетрудно убедиться, что вблизи точки перехода эта константа практически совпадает с г1; что непосредственно следует из того уже отмечавшегося факта, что вблизи точки перехода Р & ац.
![Расходимость коэффициентов электрострикции непосредственно связана с тем, что вблизи Тк приложение электрического поля приводит к появлению больших значений т ], мы с этим сталкивались уже при рассмотрении диэлектрических аномалий в собственных сегнетоэлектриках ( см. гл. В этом смысле говорят, что рассматриваемая аномалия электрострикционной константы является следствием диэлектрической аномалии. Истинная же элект-рострикционная константа не аномальна. Истинной называют константу, связывающую деформацию с квадратом поляризации. Нетрудно убедиться, что вблизи точки перехода эта константа практически совпадает с г1; что непосредственно следует из того уже отмечавшегося факта, что вблизи точки перехода Р & ац.](/pic/6187599KY0EkAb0036380593.png)