Недавние расчеты Адамса и Ландсберга [5] показали, что в Ge можно осуществить лазерный эффект, если ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Мосс Т.N. Полупроводниковая оптоэлектроника


Недавние расчеты Адамса и Ландсберга [5] показали, что в Ge можно осуществить лазерный эффект, если создать в нем концентрацию электронов ( - 3 - 1019 см-3), достаточную для того, чтобы заполнить - минимум зоны проводимости при k О, который всего лишь на 0 14 эВ выше минимума, соответствующего непрямым переходам. На самом деле расчеты этих авторов показывают, что принципиально возможно, хотя практически мало вероятно, создать лазер на прямых переходах в полупроводнике с непрямыми переходами.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Недавние расчеты Адамса и Ландсберга [5] показали,  что в Ge можно осуществить лазерный эффект,  если создать в нем концентрацию электронов ( - 3 - 1019 см-3),  достаточную для того,  чтобы заполнить - минимум зоны проводимости при k О,  который всего лишь на 0 14 эВ выше минимума,  соответствующего непрямым переходам.  На самом деле расчеты этих авторов показывают,  что принципиально возможно,  хотя практически мало вероятно,  создать лазер на прямых переходах в полупроводнике с непрямыми переходами.