Выдержка из книги
Мосс Т.N.
Полупроводниковая оптоэлектроника
Недавние расчеты Адамса и Ландсберга [5] показали, что в Ge можно осуществить лазерный эффект, если создать в нем концентрацию электронов ( - 3 - 1019 см-3), достаточную для того, чтобы заполнить - минимум зоны проводимости при k О, который всего лишь на 0 14 эВ выше минимума, соответствующего непрямым переходам. На самом деле расчеты этих авторов показывают, что принципиально возможно, хотя практически мало вероятно, создать лазер на прямых переходах в полупроводнике с непрямыми переходами.