Для исследования несовершенства кристаллов и изучения поверхностных явлений применяется дифракция электронов. В общем случае, электроны ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Гаркуша Ж.М. Основы физики полупроводников


Для исследования несовершенства кристаллов и изучения поверхностных явлений применяется дифракция электронов. В общем случае, электроны рассеиваются на атоме значительно сильнее, чем рентгеновские лучи и нейтроны. Однако проникающая способность таких электронов мала, так что их дифракция имеет место лишь п тонком поверхностном слое вещества. Электроны, обладающие такой энергией, называют быстрыми.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Для исследования несовершенства кристаллов и изучения поверхностных явлений применяется дифракция электронов.  В общем случае,  электроны рассеиваются на атоме значительно сильнее,  чем рентгеновские лучи и нейтроны.  Однако проникающая способность таких электронов мала,  так что их дифракция имеет место лишь п тонком поверхностном слое вещества.  Электроны,  обладающие такой энергией,  называют быстрыми.