Однако полосы поглощения, аналогичные отдельным V-полосам, могут быть получены, если создать в кристалле стехио-метрический избыток ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Кац М.Л. Люминесценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений


Однако полосы поглощения, аналогичные отдельным V-полосам, могут быть получены, если создать в кристалле стехио-метрический избыток галоида путем окрашивания кристаллов в парах галоида. Еще в работе Мольво [83] показано, что после соответствующей термической обработки кристаллов КВг и KJ соответственно в парах брома и иода в их спектрах возникают новые полосы поглощения, обусловленные стехиометрически избыточным галоидом. Таким образом отдельные V-полосы поглощения могут быть получены при окрашивании кристалла в парах галоида подобно тому, как отдельные полосы f - типа могут быть получены при окрашивании кристалла в парах щелочного металла.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Однако полосы поглощения,  аналогичные отдельным V-полосам,  могут быть получены,  если создать в кристалле стехио-метрический избыток галоида путем окрашивания кристаллов в парах галоида.  Еще в работе Мольво [83] показано,  что после соответствующей термической обработки кристаллов КВг и KJ соответственно в парах брома и иода в их спектрах возникают новые полосы поглощения,  обусловленные стехиометрически избыточным галоидом.  Таким образом отдельные V-полосы поглощения могут быть получены при окрашивании кристалла в парах галоида подобно тому,  как отдельные полосы f - типа могут быть получены при окрашивании кристалла в парах щелочного металла.