Для определения температурного режима процесса в соответствии с этой методикой необходимо предварительно построить серию экспериментальных ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Кузнецов Ф.А. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Ч 2


Для определения температурного режима процесса в соответствии с этой методикой необходимо предварительно построить серию экспериментальных кривых, описывающих температурную зависимость убыли растворенного вещества для нескольких ( порядка десяти) различных начальных температур кристаллизации. В работе [16] установлена связь между скоростью охлаждения и скоростью изменения концентрации раствора, однако определенное значение скорости охлаждения принималось постоянным для всего температурного интервала выращивания.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Для определения температурного режима процесса в соответствии с этой методикой необходимо предварительно построить серию экспериментальных кривых,  описывающих температурную зависимость убыли растворенного вещества для нескольких ( порядка десяти) различных начальных температур кристаллизации.  В работе [16] установлена связь между скоростью охлаждения и скоростью изменения концентрации раствора,  однако определенное значение скорости охлаждения принималось постоянным для всего температурного интервала выращивания.