Диэлектрическая абсорбция
Cтраница 1
 |
Полная диаграмма токов в диэлектрике с потерями. [1] |
Диэлектрическая абсорбция вызывает появление ос - - таточного заряда в конденсаторе, который был заряжен и затем замкнут даже накоротко, но в течение недостаточно большого времени; это явление может быть опасным для работающих с установками высокого напряжения. [2]
В зарубежной литературе эту характеристику обычно называют диэлектрической абсорбцией и выражают в процентах от зарядного напряжения, подводимого к конденсатору до замыкания его накоротко. [3]
 |
Зависимость tg б полистирольных конденсаторов от частоты.| Зависимость tg б конденсаторов с неполярными диэлектриками от температуры. [4] |
Конденсаторы из неполярных пленок обладают весьма малым коэффициентом диэлектрической абсорбции. Эти данные соответствуют непропитанным конденсаторам; пропитка может заметно повышать значения коэффициента абсорбции. [5]
На примере экспериментальных данных диэлектрической релаксации ДЦФ в матрице ПП разработаны метод и программа для ЭВМ разделения кривых диэлектрической абсорбции б ф ( Т) на высокотемпературные области, образуемые за счет дипольной поляризации сольватосвчзянного Ш1 и низкотемпературные области, образуемые за счет дипольной поляризации агрегатов молекул ДЦФ в матрице ПП, т.е. к свободному ПЛ. Свободный ПЛ образуется при концентрациях ДЦФ в матриц ПП 16 1 % вес. [6]
Неполярные пленки наиболее широко используют в конденсаторах, они обеспечивают высокие значения постоянной времени и удельных характеристик наряду с низким коэффициентом диэлектрической абсорбции. Неполярные пленки имеют высокую электрическую прочность при пониженном по сравнению с бумагой количестве слабых мест. [7]
Помимо моментов, относящихся к технике измерения, рассмотренных в ответе на задачу 2 - 2, на измеряемое сопротивление изоляции оказывает влияние существование явления диэлектрической абсорбции. А именно, при точном измерении сопротивления изоляции необходимо измерять ток утечки после полного затухания тока абсорбции. Однако в серьезных случаях ток абсорбции может протекать в течение нескольких часов и даже нескольких дней. Если исходить с позиции испытания материалов, то для измерения сопротивления изоляции иметь слишком длительный интервал времени довольно неудобно. Стандарт предусматривает продолжительность подачи электрического напряжения и проведение сравнения сопротивления изоляции при 1 и 3 мин выдержки. [8]
Даже в том случае, когда появляющиеся внутри диэлектрика объемные и поверхностные заряды относительно малы, они оказывают существенное влияние на процесс электризации диэлектрика, обусловливая возникновение явления остаточного заряда и явления диэлектрической абсорбции. [9]
ПТДИ следует приписать влиянию отступлении реальной структуры ПТДИ от идеальной триизоциану-ратной сетки. Диэлектрическая абсорбция образцов ПТДИ отличается от поведения ТФИ тем, что в температурной зависимости tgfi наблюдаются три более или менее выраженные, области майсиму-ма: вблизи 40, 90 - 120 и 160 - 170 С. Изучив структурные модели возможных дефектов триизоциануратной сетки ПТДИ и проанализировав влияние термообработки образцов, можно расшифровать происхождение каждого из пиков диэлектрической абсорбции и установить наиболее типичные нарушения сетчатой структуры ПТДИ. В их числе оказались образовавшиеся под влиянием влаги мочевинные группы, димеры толуилендиизоцианата и остаток непрореагировавших изоцианатных групп. В ПТДИ, прогретом до 160 С, димеры и свободные группы NC O в соответствии с диэлектрическими данными отсутствуют, образец практически не-полярен. Таким образом были получены сведения о совершенстве сетки одного из компонентов композиции. [11]
ПТДИ следует приписать влиянию отступлении реальной структуры ПТДИ от идеальной триизоциану-ратной сетки. Диэлектрическая абсорбция образцов ПТДИ отличается от поведения ТФИ тем, что в температурной зависимости tgfi наблюдаются три более или менее выраженные, области майсиму-ма: вблизи 40, 90 - 120 и 160 - 170 С. Изучив структурные модели возможных дефектов триизоциануратной сетки ПТДИ и проанализировав влияние термообработки образцов, можно расшифровать происхождение каждого из пиков диэлектрической абсорбции и установить наиболее типичные нарушения сетчатой структуры ПТДИ. В их числе оказались образовавшиеся под влиянием влаги мочевинные группы, димеры толуилендиизоцианата и остаток непрореагировавших изоцианатных групп. В ПТДИ, прогретом до 160 С, димеры и свободные группы NC O в соответствии с диэлектрическими данными отсутствуют, образец практически не-полярен. Таким образом были получены сведения о совершенстве сетки одного из компонентов композиции. [12]
В 20-разрядном АЦП фирмы National Semiconductor ( США) [108] применен метод однотактного интегрирования-линейно нарастающее образцовое напряжение сравнивается с измеряемым. В АЦПДИ результат преобразования определяется отношением времени разряда от образцового напряжения к времени заряда от измеряемого напряжения. Для АЦПДИ влияние нестабильности емкости конденсатора исключается, но на линейность характеристики преобразования может оказать влияние диэлектрическая абсорбция интегрирующего конденсатора. [13]
Страницы: 1