Толстопленочная микросхема
Cтраница 3
Если требуется быстро разработать большое количество разнообразных по типу гибридных схем, более рационально использовать толстопленочные микросхемы. [31]
Наряду с этим можно сформулировать важное требование: пленочные составляющие, входящие в состав твердотельной конструкции толстопленочных микросхем, должны допускать возможность воздействия единых последовательных технологических возмущений, а получение каждой последующей пленочной системы не должно оказывать влияния на свойства предыдущей. [32]
Фирмой Lockheed-Georgia была разработана программа с использованием машинной графики, позволяющая быстро и экономично проектировать и изменять толстопленочные микросхемы для использования в самолете С-5 А. Программа написана на языке ФОРТРАН IV для работы с Графической системой разделения времени ( GTSS) и допускает параллельную работу трех графических пультов типа Digigraphic с ЭВМ CDC-3300. В статье дается описание основной системы, ее работы, используемых структур данных и сведений о промышленном применении. [33]
С начала 50 - х годов в развитых промышленных странах стали активно проводиться исследования и опытно-конструкторские работы по созданию толстопленочных микросхем и разработке промышленного оборудования для их производства. Повышенный интерес к толстопленочной технологии объяснялся рядом ее существенных достоинств и прежде всего сравнительной простотой и невысокой стоимостью технологического оборудования, гибкостью и мобильностью технологии, позволяющей сравнительно быстро наладить промышленное производство микросхем различного функционального назначения. [34]
Элементы толстопленочных микросхем наносятся методом шелкографии. Толстопленочная микросхема выполняется на керамической пластинке - подложке, на которую сначала через сетчатые трафареты наносятся соединительные линии из проводящей пасты. При температуре около 700 С паста вжигается в керамическую подложку. Для изготовления толстопленочных схем кроме проводящей пасты используются резистивные и диэлектрические пасты, которые также обжигаются. Транзисторы и диоды ( бескорпусные или в корпусах) присоединяются к контактным площадкам на подложке микросхемы. [35]
Технологический процесс изготовления толстопленочных интегральных микросхем более простой, чем тонкопленочных, так как в этом случае не требуется вакуум и сложное оборудование. Толстопленочные микросхемы обладают высокой надежностью и могут быть рассчитаны на относительно большие мощности рассеяния. [36]
 |
Плата гибридной микросхемы. [37] |
ТППГТППЛРНОЧНОЙ микросхемы имеет размеры 16ХЮХ1 или 10x10x1 мм и выполняется из высо-квглиноземистой керамики, имеющей хорошую адгезию к наносимым материалам. Элементами толстопленочной микросхемы являются резисторы и конденсаторы, их выполняют так же, как и межсоединения, путем нанесения на поверхность подложки через сетчатый трафарет специальных проводящих, резистивных и диэлектрических дает, подвергаемых после нанесения термической обработке. Конденсаторы имеют емкость от 60 до 350 пФ, добротность до 50, пробивное напряжение дЬ J50 В. [38]
Толстопленочной ИС называется ИС с толщиной пленок свыше 1 мкм. Элементы, толстопленочных микросхем наносятся преимущественно методом шелкографии ( сеткографии) с последующим вжиганием. [39]
Пленочная микросхема - микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов. Вариантами пленочных являются тонкопленочные и толстопленочные микросхемы. [40]
Сущность толстопленочной технологии заключается в том, что на диэлектрическую подложку через трафарет последовательно наносят и вжигают слои различных проводящих, резистивных и диэлектрических паст. В результате получают слои заданной конфигурации, которые служат для формирования проводников, резисторов и конденсаторов толстопленочной микросхемы. В качестве материала подложки, как правило, используют керамику с развитой шероховатой поверхностью для повышения сил сцепления пленки с подложкой. [41]
Термогравиметрический анализ позволяет исследовать функциональные материалы путем определения характерных температурных точек изменения фазовой структуры. Важно иметь также данные о рабочих критических точках температурной стабильности композициии и на их основе осуществлять основной контроль факторов технологического процесса изготовления толстопленочных микросхем. [42]
С тех пор, как были начаты работы по машинной графике, проводились исследования в самых различных областях, к числу которых относились построение поверхностей, обработка текстов, проектирование конструкций, эскизное проектирование самолета, расчет нагрузок на крыло, проектирование профиля крыла, сборка узлов из деталей, подготовка лент для станков с программным управлением и, наконец, проектирование трафаретов для толстопленочных микросхем. Два из указанных направлений были доведены до промышленного использования. Третье, хотя и продолжает развиваться, уже служит для проектирования трафаретов гибридных микросхем в подсистеме MADAR ( Malfunction Detection Analysis and Recording) фирмы Lockheed, в комплексе SKE ( Station Keeping Equ. [43]
Изоляторные электро - и радиокерамические материалы. Изоляторные материалы используются для изготовления изоляторов различных типов: линейных ( подвесные, подвесные стержневые, штыревые), опорных, проходных ( вводы), телеграфных и телефонных, аппаратных ( используются в конструкциях различных электрических аппаратов); установочных изделий ( ролики, детали предохранителей, патронов, штепсельных соединений); для изготовления установочных изделий в радиотехнике и микроэлектронике: ламповых панелей, каркасов катушек индуктивности, осей, антенных изоляторов ( опорных, проходных, подвесных), изоляционных оснований плат в микромодулях и толстопленочных микросхемах, деталей корпусов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. [45]
Страницы: 1 2 3 4