Мощность - рассеивание
Cтраница 1
Мощность рассеивания бывает ( номинальной и фактической. Номинальная - это мощность, при которой резистор может длительно работать, если температура окружающей среды не ( Превышает номинальную температуру. [1]
 |
Общий вид варистор-ных шунтов. [2] |
Мощность рассеивания в статическом режиме у этих шунтов не превышает 0 5 вт. [3]
 |
Тетрод. а - схематическое устройство тетрода. б - изображение тетрода на схемах.| Распределение потенциала в типичном тетроде. [4] |
Мощность рассеивания на аноде в любой момент определяется произведением мгновенных значений анодного напряжения и анодного тока. Источник анодного питания отдает лампе и ее нагрузке мощность, которая определяется произведением мгновенных значений напряжения источника питания и тока, проходящего через источник. [5]
Мощность рассеивания, выделяемая при прохождении фототока, определяет разогрев фотоприемника. Каждый приемник характеризуется оцределенным значением максимальной мощности рассеивания РДОп, которое не должно превышаться. Значение Рдоп зависит от условий теплоотвода, размеров рабочей площадки и других факторов. [6]
Мощность рассеивания равна произведению силы тока, проходящего через термистор, на падение напряжения в нем. Для определения значений силы тока и напряжения миллиамперметр включают последовательно с термистором, а вольтметр с большим сопротивлением-параллельно. [7]
Мощность рассеивания транзистора измеряется при приложении специального рабочего напряжения к прибору и измерении длительной мощности рассеивания, используя температурный предел корпуса в 25 С. [8]
Мощность рассеивания резисторов R1 и R2 определяется обычным способом в зависимости от величины напряжения, приложенного к каждому из резисторов, или тока, проходящего в цепи обратной связи. Если в усилителе используется пентод и сопротивление Ra велико, то значение R можно выбрать ближе к нижней допустимой границе. Необходимо также иметь в виду, что с увеличением квазирезонансной частоты ( особенно в области ультразвуковых частот) допустимое увеличение R ограничено. При большом значении R уменьшается расчетная величина емкости фильтра, что приводит и к уменьшению стабильности работы усилителя на высокой квазирезонансной частоте вследствие значительного влияния паразитных емкостей схемы. [9]
 |
Диод с последовательно включенным активным сопротивлением и источником питания.| Построение линии нагрузки для постоянного тока на характеристике диода.| Выпрямительный диод 5U4 - G с активным. [10] |
Определяем мощность рассеивания на аноде диода. [11]
Сумма мощности рассеивания на аноде Ра и мощности Рн, отдаваемой в нагрузку, равна мощности, потребляемой от источника питания. [12]
Пределы мощности рассеивания определяются, когда транзистор работает при повышенной окружающей температуре. Затем необходимо уменьшить допустимое рассеивание, чтобы предотвратить состояние, известное как регенеративное нарастание температуры. Это состояние, общее для всех германиевых транзисторов, наступает тогда, когда мощность рассеивания, обусловленная произведением U и Д / к, достаточна, чтобы благодаря самонагреву сравнительно быстро повысить / и создать неустойчивое равновесие. В результате мощность рассеивания на коллекторе быстро нарастает до значения, превышающего допустимый предел. [13]
Уменьшение мощности рассеивания объясняется перекрытием пограничных температурных слоев на поверхности смежных ребер и образованием застойных зон с пониженной конвекцией. [14]
Для мощностей рассеивания ЮО мВт и выше возможность применения пассивного радиатора ограничена, поскольку размер и вес системы становятся чрезмерно большими. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5