Cтраница 1
Функции 5-типа симметричны относительно центра атома ( ядра), ар-типа - антисимметричны. [1]
JV-образная ( о и S-образная ( б вольт-ампер вые характеристики. [2] |
При ВАХ 5-типа ( рис. 4 6) нарастают флуктуации, приводящие к шнурованию тока. С ростом тока происходит расширение токового шнура вплоть до заполнения им всего поперечного сечения образца. В результате образуются многошнуровые ж ( или) многодоменные структуры. Кроме свободных электронов и дырок, полупроводник содержит носители, захваченные глубокими примесными центрами, причем времена жизни электронов тэ и дырок тп относительно их захвата различны. [3]
Схема возникновения доменов сильного поля в образце при вольт-амперной характеристике iV-типа. [4] |
В кристаллах с характеристикой 5-типа также возникает генерация колебаний. Однако этот процесс рассматривать не будем, так как он во многом аналогичен процессу в кристалле с УУ-характеристикой. [5]
Это супраповерхностные сигиатропные сдвиги 1 5-типа, и поэтому они должны происходить с сохранением конфигурации мигрирующего атома. Стереохимия этой стадии определена анализом соединения ( 23), которое образуется из ( 22) в результате 1 5-водо-родного сдвига. Эта стадия не изменяет стереохимию мигрирующего углерода. [6]
Блок управления содержит элементы памяти 5-типа, которые управляют электронными ключами трех электромагнитов ЛПМ, ключами световой индикации режимов, ключами управления каналов записи, воспроизведения и скорости вращения электродвигателя. Режимы работы переключаются при нажатии соответствующей кнопки на передней панели магнитофона. [7]
Анионы связаны по т ] 5-типу и, конечно, непараллельны: они окружают атом Ln, располагаясь по вершинам правильного треугольника. По мере накопления лигандов Ср - в комплексе, структуры становятся еще сложнее: так, в ZrCp4 атом Zr связан с тремя кольцами по т15 - типу ( расстояние Zr-С 0 252 - 0 263 нм), а с четвертым образует а-связь длиной 0 245 нм. Такие соединения не называют металлоценами, и вообще этот термин используют иногда довольно неожиданным образом. Так, по традиции ура-ноценом называют бис ( я-циклооктатетраен) уран, который содержит два параллельно расположенных плоских кольца CgHg. [8]
Это указывает на то, что 5-тип кривой КД необязательно связан со спиральной структурой хромофора. [9]
В нем ионы Fe3 являются ионами 5-типа. Насыщение констант Я1 ( и и Ящ происходит в тех же полях, что и насыщение намагниченности. [11]
Мы вернемся к возможным объяснениям адсорбции А-и 5-типа в разделе X, 5, но отметим здесь, что оба указанных выше объяснения не являются взаимно исключающими друг друга. Влияние загрязнений, по-видимому, сводится - к тому, что они облегчают образование диполей Л - типа. [12]
Мы вернемся к возможным объяснениям адсорбции А-и 5-типа в разделе X, 5, но отметим здесь, что оба указанных выше объяснения не являются взаимно исключающими друг друга. Влияние загрязнений, по-видимому, сводится к тому, что они облегчают образование диполей 5-типа. [13]
Одной из характерных черт К - полос 5-типа является очень высокая, по сравнению с / полосами другой природы, чувствительность к давлению посторонних газов. Вследствие большой протяженности s - орбитали силы отталкивания между молекулой, находящейся в рвдберговом s - состоянии, и молекулой постороннего газа действуют на значительно больших расстояниях, чем для той же молекулы, находящейся в основном состоянии. Кюблер показали [7], что при переходе от разреженных паров к сжатым газам и далее - к конденсированной среде для ридберговых полос должен наблюдаться большой коротковолновый сдвиг центра тяжести полосы при одновременном асимметричном уширении отдельных вибронных компонент. [14]
Z-Элемент представляет собой / т-л-структуру с вольт-амперной характеристикой 5-типа. Z-элемент может работать в двух режимах: генераторном и принужденном. Преобразование первого режима во второй осуществляется увеличением тока, протекающего через Z-элемент. Очевидно, что преимуществом генераторного режима является возможность измерения малых значений внешних воздействий. Однако в этом случае диапазон рабочих токов мал, что ограничивает диапазон внешних воздействий. В принужденном режиме значения внешних воздействий превышают некоторое пороговое значение, которое вызывает колебания в Z-элементе. Это значение может быть существенно уменьшено посредством использования двух воздействий, одно из которых вызывает колебания выходного сигнала, а второе управляет их частотой. Разработаны кремниевые Z-элементы, отличающиеся концентрацией примесей и геометрическими размерами, изменяющимися от 1 х 1 х 0 3 мм до 5 х 1 х 0 3 мм. С возрастанием напряженности магнитного поля увеличивается частота выходного сигнала / являющаяся также функцией нескольких величин: времени жизни носителей и их мобильности, концентрации примесей, тока и размеров элемента. Напряжение источника питания для Z-элеменга составляет 3 - 70 В, ток 1 - 5 мА, амплитуда выходного сигнала составляет 1 - 15 В. [15]