Нагрузочная способность

Cтраница 1

Нагрузочная способность ( т) диодных элементов определяется шунтирующим действием последующих элементов на предыдущий. Поэтому рост т приводит к увеличению затухания сигнала. Практически зна-чгния т здесь не превышают один-два, так как даже для т 1 сигнал, пройдя три последовательно включенных диодных элемента обычно настолько затухает, что требуется включение дополнительных усилителей. [1]

Нагрузочная способность ( т) элемента, определяемая максимальным числом выходов т, здесь ограничена в основном, выполнением условия насыщения. Действительно, с ростом т уменьшается часть общего тока i % K закрытого предыдущего элемента, ответвляющегося в каждый из входных резисторов R0 последующих насыщенных элементов. Последнее приводит к уменьшению токов / яб, что может затруднить выполнение условия насыщения. [2]

Нагрузочная способность ( т) элементов данного типа ограничивается выполнением условия насыщения. Действительно, с ростом т увеличивается ток нагрузки элемента гн и, следовательно, коллекторный ток транзистора. Поэтому после определенного значения т условие насыщения перестает выполняться. [3]

Нагрузочная способность ( т) ограничена здесь выполнением условия насыщения транзисторов. [4]

Нагрузочная способность ( т) ПТТЛ-элемента весьма высока. Это объясняется, с одной стороны, малым выходным сопротивлением эмит-терных повторителей и, с другой - малой величиной тока базы входных транзисторов последующих элементов, работающих в активном режиме. Последнее обстоятельство приводит к тому, что статическая нагрузочная способность здесь оказывается весьма большой. Однако при увеличении т растет емкостная нагрузка на элемент, что приводит к снижению быстродействия. Следует заметить, что дальнейшее повышение нагрузочной способности ( до т 100) может быть достигнуто применением в выходных эмиттер-ных повторителях, не одного, а нескольких параллельно включенных транзисторов. [5]

Нагрузочная способность ( т) элемента на полевых транзисторах по постоянному току весьма высока из-за малой величины входных токов последующих элементов. Однако увеличение га приводит к росту суммарной выходной емкости и тем самым снижает быстродействие элемента. [6]

Нагрузочная способность этих трансформаторов ниже, чем масляных; для определения допустимого времени и кратности перегрузки для этого типа трансформаторов имеются специальные кривые, отличающиеся от кривых для масляных трансформаторов. Испытательное напряжение для трансформаторов типа ТС ниже, чем для масляных ( см. табл. П-8 приложения II), и эти трансформаторы не могут работать в установках, связанных с воздушными сетями. [7]

Привод переднего ведущего и управляемого колеса 206. [8]

Нагрузочная способность и износостойкость планетарной передачи весьма высокие, так как крутящий момент в ней передается от солнечной шестерни к коронной тремя потоками через сателлиты и суммируется на ступице колеса. [9]

Дешифратор на четыре выхода на схемах T-TTL. [10]

Нагрузочная способность на выходе мощного каскада по эмиттер-ным входам пэ практически не снижается при подключении базовых входов HQ. [11]

Нагрузочная способность каждого из выходов равна п - 1, так как к выходам 3 / и 32 уже подключено по одному входу. [12]

Схемы логических расширителей по И ( а и по ИЛИ ( б.| Микросхема И-ИЛИ-НЕ. [13]

Нагрузочная способность логических ИМС на МДП-тран-зисторах лимитируется их быстродействием. В стационарном режиме ИМС на МДП-структурах способны обеспечивать нормальную работу значительного числа логических элементов, так как для их управления требуется затратить пренебрежимо малую мощность. Это объясняется высоким входным сопротивлением МДП-транзисторов. [14]

Нагрузочная способность таких подшипников существенно ниже, чем у подшипников с коническими или внутренними тороидальными рабочими поверхностями колец; к преимуществам проволочных подшипников можно отнести их сравнительную простоту и дешевизну изготовления. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5