Сульфид - кремний
Cтраница 1
Сульфиды кремния пока не имеют практического применения. [1]
Сульфид кремния, SiS2, получается сплавлением Si с серой при темп-ре красного каления; блестящие иглы, легко сублимирующиеся в токе инертного газа; на воздухе сгорает в SiO2 и S02, водою разлагается. Известно также соединение SiS. Шютценберже); представляет собою порошок зеленого цвета, который может быть отмыт от SiO2 плавиковой к-той; б) кристаллически и-получается из элементов, сплавляемых при высокой t в электрич. [2]
Сульфид кремния SiS2 получают сплавлением аморфного кремния с серой в отсутствие воздуха. [3]
Образование сульфида кремния по реакции ( 4) начинается при 1100 С и заканчивается при 1450 С. Кремнезем, содержащийся в боксите, на 50 % переходит в SiS2, а остальное количество его восстанавливается до кремния и переходит в ферросплав. Восстановление окиси кремния по реакции ( 2) начинается при температуре 1585 С. Образовавшийся при этом сульфид кремния почти полностью улетучивается. [4]
Практического значения сульфиды кремния пока не имеют. [5]
При взаимодействии оксисоединений с сульфидом кремния 1396, 780, 2265, Н103 ] при высоких температурах образуются тетраалкокси - или тетраароксисиланы и выделяется сероводород. [6]
Эта цепь отличается от цепи сульфида кремния ( стр. [7]
В работе [574] изучен процесс синтеза новых сульфидов кремния при высоком давлении. Для получения SiS2 смеси кремния и серы ( в атомных отношениях 1: 1 2: 3, 1: 2 и 2: 2) прессовали и нагревали при 700 С под давлением 50 кбар. При нагревании в среде кислорода SiS2 переходит в SiO2 уже при 470 С, а в среде азота устойчив до 825 С. [8]
Такое соединение является промежуточным продуктом при получении сульфида кремния ( SiS j, разложением меркаптосиланов. [9]
В настоящее время основными материалами являются кремний, сульфид кремния и арсенид галлия. Затвор МОП-транзистора обычно изготавливают из алюминия или золота. [10]
При этерификации четыреххлористого кремния [ 146, Н52, Н141, H181J или сульфида кремния [1428] водным спиртом образуются полиэфиры, молекулярный вес которых зависит от содержания воды в спирте. [11]
При анализе тиоэфиров ортокремневой кислоты в условиях описываемого метода не исключена возможность частичного образования сульфида кремния SiS2, что приведет к получению искаженных результатов анализа для всех определяемых элементов. Нам кажется, что прибавление к навеске тиоэфиров капли воды ( см. стр. Вес воды, прибавленной к навеске, необходимо учитывать при расчете содержания водорода. [12]
 |
Зависимость АГф от температуры прокаливания при добавлении в сырье коксования Fe203 ( длительность прокаливания 2 ч. [13] |
Интересно поведение кремния при обессеривании кокса. Максимальное количество сульфида кремния образуется при нагревании сернистого нефтяного кокса до 1400 С. При дальнейшем нагревании сульфид распадается и из системы удаляется сера в виде моноокиси кремния. [14]
Спектральные характеристики фоторезисторов, нормированные относительно максимального значения чувствительности ямакс на длине волны Кмакс, приведены на рис. 7.27. Эти характеристики определяются конкретной зависимостью стф ф ( Я) ( см. рис. 7.2) для каждого материала в области собственного или примесного поглощения. В видимой части оптического диапазона в качестве материалов ЧЭ фоторезисторов используются сульфид кремния CdS и селенид кадмия CdSe. Введение в эти материалы меди Си - центров чувствительности резко повышает время жизни электронов и, следовательно, коэффициент усиления по току. Но атомы меди создают в запрещенной зоне CdS и CdSe компенсирующие акцепторные уровни, и проводимость полупроводника уменьшается. На длинах волн 1 - 4 мкм применяют антимонид InSb и арсенид InAs индия. Указанные материалы фоторезисторов обладают собственной проводимостью. [15]
Страницы: 1 2