Вплавление - индий
Cтраница 1
 |
Внешний вид германиевого выпрямителя. [1] |
Вплавление индия производится в условиях высокого вакуума или же в инертной атмосфере. Во время впла-вления индия его атомы диффундируют широким фронтом на некоторую глубину германиевого кристалла, в результате чего на протяжении этой зоны германий приобретает дырочный механизм проводимости. [2]
Обычно одновременно с вплавлением индия в германий производят припайку исходного кристалла к кристаллодержателю. В этом случае в графитовую кассету закладывают никелевый или ко-варовый кристаллодержатель, залуженный, например, оловом с присадкой сурьмы. После сплавления кристалл с переходом подвергают химическому или электролитическому травлению для удаления возможных загрязнений. Остатки травителя смывают дистиллированной водой. [3]
У выпрямителя, полученного путем вплавления индия в германий, коэффициент инъекции дырок сквозь р - п переход весьма близок к единице. [4]
Показана принципиальная возможность получения р-п-переходов путем вплавления индия через слой сульфида. [5]
Германиевые диоды изготовляются, как правило, вплавлением индия в германий n - типа. Они могут допускать плотность тока до 100 А / см2 при прямом напряжении до 0 8 В. Предельное обратное напряжение у них не превышает 400 В, а обратный ток обычно бывает не более десятых или сотых долей миллиампера для диодов малой мощности и единиц миллиампер для диодов средней мощности. [6]
 |
Конструк - [ IMAGE ] - 103. Характеристика [ IMAGE ] - 104. Конфигурация полевого транзистора ция канального тран - канального транзистора. с изолированным затвором и каналом п-типа. эистора. [7] |
На стерженьке имеется шейка, в которой путем вплавления индия создан охватывающий все сечение кольцевой р-п переход. Стержень включается в выходную цепь, а на р-п переход при помощи батареи Ес подается обратное напряжение смещения и к нему же подводится усиливаемый сигнал. Действующее сечение канала внутри шейки, по которому проходят электроны от катода к аноду, получается меньше ее геометрического сечения, так как электроны не могут проникнуть в обедненную область объемного заряда р-п перехода. Ввиду зависимости толщины объемного заряда от напряжения на р-п переходе сечение открытого для электронов канала, а вместе с ним и сопротивление стержня изменяются под действием переменной составляющей напряжения в цепи р-п перехода. [8]
Электронно-дырочные переходы большинства германиевых плоскостных диодов изготовляют путем вплавления индия в германий n - типа ( см. § В. Электронно-дырочный переход этого диода изготовляется в пластинке германия площадью 1 5x1 5 мм2 и толщиной 0 3 - 0 4 мм, вырезанной по плоскости ( 111) из монокристаллического германия п-типа с удельным сопротивлением около 0 3 ом-м. Индиевая навеска имеет диаметр 0 8 мм. [9]
Электронно-дырочные переходы германиевых диодов в большинстве случаев изготавливаются путем вплавления индия в германий м-типа. Существует несколько разновидностей этих диодов ( от Д7А до Д7Ж), различающихся величиной допустимого обратного напряжения и допустимого прямого тока. Эти диоды имеют металлический корпус с винтом для крепления на теплоот-водящем шасси. [10]
Германиевые диоды содержат - - переход, изготовленный методом вплавления индия в кристалл - германия. [11]
Толщина монокристаллической пластинки германия должна быть несколько больше w, учитывая глубину вплавления индия в германий. [12]
Германиевые плоскостные вентили ( диоды) малой и средней мощности изготовляются главным образом путем вплавления индия в германий с электронной проводимостью. В процессе изготовления вентилей индий диффундирует в германий и образует слой германия с дырочной проводимостью. На границе областей германия с электронной и дырочной проводимостью возникает р - n - переход. [14]
В работах [5, 7, 13-15] имеются краткие упоминания о закорачивании коллектора с эмиттером при перегрузках сплавных приборов на основе вплавления индия и его сплавов. Авторы указывают на лроплавление германия индием как на причину замыкания. Сообщают, что в приборе образуются сквозные дырки. [15]
Страницы: 1 2