Cтраница 2
Ионы легирующего элемента образуются в плазме дугового разряда, создаваемого в газоразрядной камере установки, куда поступают пары рабочего вещества, содержащего легирующий элемент. Рабочее вещество при этом находится в тигле, нагреваемом с помощью обычных элементов сопротивления. [16]
Колебательные КПД импульсных разрядов зависят от вида разряда, давления среды, конкретной конструкции газоразрядной камеры и, как правило, ниже т) к для непрерывных лазеров, что связано с более высокими значениями Е / р0 в импульсных разрядах. [17]
Схема электромагнитного сепаратора ( в плане. / - источник. 2 - газоразрядная камера. 3, 4, 5 - электроды. 6 7 - приемный карман. 8 - реперные электроды. [18] |
Что касается возможной величины ионного тока из источника, то она определяется площадью S щели в газоразрядной камере ( ГРК), предназначенной для формирования пучка, и плотностью тока j на щель, которую можно достигнуть в данном источнике при данной массе ионов. [19]
При выборе рабочего вещества основное внимание уделяют возможности получить высокое парциальное давление пара легирующего элемента в газоразрядной камере при умеренных температурах, не превышающих 800 - 900 С. [20]
Виды металлических секционных газоразрядных камер. [21] |
Известно, что замкнутый цилиндр из электропроводного материала непрозрачен для электромагнитного поля, однако если сделать в этом цилиндре хотя бы один продольный разрез, то поле свободно проникнет внутрь. Поэтому металлические газоразрядные камеры для ВЧИ-плазмотронов делают разрезными или секционными. Специальные разрезные водоохлаждаемые металлические разрядные камеры обычно изготовляют из меди, т.е. из материала с хорошей электропроводностью. На рис. 4.6.4 представлены разные варианты конструктивных решений для секционных металлических газоразрядных камер, различающихся между собой числом секций и их формой. [22]
В лазерах с поперечной прокачкой происходит преим. Существует много конструкций газоразрядных камер, объем к-рых может достигать десятков литров. Погонная мощность определяется высотой и длиной разрядной камеры в направлении потока и макс, плотностью мощности накачки, при к-рой еще возможно в данной конструкции камеры поддерживать устойчивый разряд. [23]
Первоначально частицы находились на стенках газоразрядной камеры. [25]
Ионное легирование осуществляют на ионно-лучевом ускорителе ( рис. 1.19), который состоит из ионного источника /, электромагнитного сепаратора 2 ( анализатора) и приемного устройства 4, в котором устанавливают обрабатываемую полупроводниковую пластину. Пары рабочего вещества ( легирующей примеси) поступают в газоразрядную камеру, где происходит их ионизация. Система электродов формирует ионный пучок 3, который всегда содержит также и ионы посторонних примесей. Возникающая при этом сила Лоренца искривляет траекторию движения ионов по радиусу, величина которого пропорциональна отношению массы частицы к ее заряду, а также скорости движения частицы. [26]
Определенная по рентгеновскому излучению ускоренных электронов, падающих на боковые стенки газоразрядной камеры, энергия их была порядка 100 кэв при энергии частиц пучка 7 - 10 кэз. Плотность ускоренных частиц составляла около 0 1 % плотности холодной плазмы, точные измерения которой были проведены с помощью маломощного детектирующего пучка. Основным механизмом ускорения являются ленгмюровские колебания. Характерно, что полная энергия ускоренных частиц весьма велика и сравнима с энергией холодной плазмы. [27]
Система газораспределения отличается от общепринятой наличием дополнительной линии подачи газа, изготовленной из калиброванного кварцевого стекла и проходящей через газоразрядную камеру. Через эту дополнительную линию пропускался поток водорода или спектрально чистого аргона. Нелегированный тетрахлорид кремния, применяемый для наращивания эпитаксиальных слоев, обеспечивал получение слоев и-типа с удельным сопротивлением 50 Ом - см. Концентрация тетрахлорида в водороде составляла 0 5 мол. [28]
Ионы и нейтральные атомы получают энергию от электронов в результате упругих столкновений и от возбужденных частиц в процессах безызлучательной релаксации, а теряют ее за счет процессов теплопроводности к охлаждаемым стенкам газоразрядных камер и конвективного выноса при поддержании разряда в потоке газа. [29]
Конкретные схемы разрядов будут рассмотрены в последующих главах при описании различных типов лазеров. Очень часто газоразрядные камеры технологических лазеров имеют прямоугольную геометрию и для однородного возбуждения среды необходимо обеспечивать равномерное протекание тока через катодные поверхности большой площади. [30]