Интегральный компонент

Cтраница 2

В задачу работы входит знакомство с особенностями ферментных препаратов, являющихся интегральными компонентами мембран, а также изучение гидролазной и трансферазной активности глкжозо-6 - фосфатазы микросомальных мембран печени крысы с целью оценить реальность их участия в механизме регуляции уровня сахара крови. [16]

На рис. 1.1 показан поперечный разрез кристалла ОУ, содержащий в качестве интегральных компонентов биполярные транзисторы, диффузионный резистор и резисторы, работающие на полевом эффекте. Ом - см. Значения параметров выбираются в зависимости от требуемых электрических характеристик ОУ и его компонентов. [17]

Схема переключающих цепей на диодах с накоплением заряда ( а и с ускоряющей емкостью ( б. [18]

Рассмотрим работу схем рис. 5.13 а, б, пренебрегая влиянием паразитных параметров интегральных компонентов и считая, что внутреннее сопротивление источника входного сигнала равно Rr, а перепады входного напряжения идеальны. [19]

Субтотальиая биодеградация эластического каркаса аорты вблизи. [20]

Первостепенное значение будут иметь поиски объяснения причин биодеградации эластических волокон артериальной стенки, являющейся интегральным компонентом и, возможно, одним из наиболее важных факторов в патогенезе и инициации атеросклероза. Взгляд на эту проблему с точки зрения учения о МТОЗах совершенно закономерен и имеет много доказательств эпидемиологического и медикогеографического характера. Однако он почти не разработан патологами и еще мало известен клиницистам. Дефицит МЭ ( в частности, недостаточность меди и селена) необязательно должен выражаться в генерализованных проявлениях. [21]

Однако сложность технологического процесса не позволяет выявить точные функциональные зависимости между параметрами схемы и параметрами интегральных компонентов. Статистические методы являются более универсальными, поскольку параметры пассивных и активных компонентов ИС характеризуются большими дисперсиями, между ними существует сильная корреляционная зависимость, законы распределения большинства параметров отличны от нормальных. [22]

Такие традиционные элементы, как трансформаторы, реле, контакты, переменные резисторы, плохо совмещаются с интегральными компонентами из-за наличия перемещающихся деталей и больших габаритов. [23]

Погрешность толщины фоторезиста и невоспроизводимость ее в серии подложек ухудшают такие важнейшие параметры, как светочувствительность и кислостойкость, и приводят к снижению процента выхода годных ИМС, точности и стабильности параметров интегральных компонентов. [24]

В заключение данного параграфа отметим, что рассмотренные способы 1 - 6 относятся к способам постановки не только задачи расчета параметров пассивных компонентов на этапе проектирования принципиальных электрических схем, но и задачи расчета структурных параметров при проектировании интегральных компонентов по заданным требованиям к электрическим параметрам. В отношении такой экстремальной задачи, как расчет тестовых норм, следует отметить, что ее решение преследует цель рассчитать такие нормы, при которых максимизируется процент выхода годных схем. В этих работах задачи расчета параметров компонентов и тестовых норм объединяются в одну общую задачу. Однако отмеченные выше недостатки способа 5 ограничивают возможности решения этой общей задачи только случаями простейших схем. Практически целесообразно раздельное решение этих двух задач. [25]

Наиболее распространенной схемой для измерения микроперемещений является низкочастотный индуктивный квазиуравновешенный мост, который позволяет определить изменение какой-либо одной составляющей комплексного сопротивления. В последнее время в связи с разработкой интегральных компонентов появилась возможность путем незначительных структурных усложнений значительно улучшить точностные, энергетические и другие показатели усилительных схем индуктивных мостов. [26]

Интегральные технологические процессы изготовления элементов обеспечивают получение компонентов схемы в виде отдельных областей в полупроводниковых материалах, интегрально ( неразрывно) связанных и обладающих характеристиками дискретных радиокомпо-нентов. При этом все межкомпонентные соединения производятся в процессе изготовления интегральных компонентов и также являются интегральными. Интегральные компоненты изготовляются различными методами диффузии, эпитаксиального наращивания, окисления и т.п. Интегральная схема представляет собой пластинку кремния площадью около 1 5 мм2, в теле которой образованы десятки компонентов - транзисторов, диодов и резисторов. [27]

Интегральные технологические процессы изготовления элементов обеспечивают получение компонентов схемы в виде отдельных областей в полупроводниковых материалах, интегрально ( неразрывно) связанных и обладающих характеристиками дискретных радиокомпонентов. При этом все межкомпонентные соединения образуются в процессе изготовления интегральных компонентов и также являются интегральными. Интегральная микросхема представляет собой пластину кремния площадью около 1 5 мм2, в теле которого образованы десятки компонентов - транзисторов, диодов и резисторов. Интегральная микросхема собирается в отдельном герметизированном корпусе стандартных форм и размеров. [28]

Интегральные технологические процессы изготовления элементов обеспечивают получение компонентов схемы в виде отдельных областей в полупроводниковых материалах, интегрально ( неразрывно) связанных и обладающих характеристиками дискретных радиокомпонентов. При этом все межкомпонентные соединения производятся в процессе изготовления интегральных компонентов и также являются интегральными. Интегральная схема представляет собой пластинку кремния площадью около 1 5 мм2, в теле которой образованы десятки компонентов - транзисторов, диодов и резисторов. Интегральная схема собирается в отдельном герметизированном корпусе стандартной формы и размера. [29]

Метод математического моделирования представляет для данного исследования особый интерес и в связи с тем, что он синтезирует в себе целый ряд методов научного познания - анализ, синтез, обобщение и специализацию, абстрагирование, конкретизацию, аналогию и другие методы. Это, с одной стороны, позволяет рассмотреть моделирование как интегральный компонент инженерного мышления, а с другой - открывает перспективу процесса его формирования в системе подготовки специалиста. [30]

Страницы: 1 2 3