Рассматриваемый конденсатор

Cтраница 2

Так как при частоте / 50 гц емкости С1 мкф соответствует емкостное сопротивление хс 3185 ом, то емкость рассматриваемого конденсатора приблизительно равна 8 7 мкф. [16]

Так как при частоте / 50 гц емкости с а1жк соответствует емкостное сопротивление хс-3185 ом, I то емкость рассматриваемого конденсатора приблизи - v тельно равно 10 мкф. [17]

Корпус конденсатора, состоящий из чередующихся тонких слоев диэлектрика и металлических о бкладок, очевидно, обладает еще более высоким коэффициентом теплопроводности. Поэтому для рассматриваемых конденсаторов нет практической необходимости определять температуру внутри корпуса конденсатора, достаточно определить температуру только на его поверхности, чтобы избежать опасного перегрева конденсатора при его эксплуатации. [18]

Векторные диаграммы и эквивалентные схемы диэлектрика с потерями. а - последовательная. б - параллельная. [19]

Рассмотрим схему, эквивалентную конденсатору с диэлектриком, обладающим потерями, находящемуся в цепи переменного напряжения. Эта схема должна быть выбрана так, чтобы активная мощность, расходуемая в данной схеме, была равна мощности, рассеиваемой в диэлектрике конденсатора, а ток опережал напряжение на тот же угол, что и в рассматриваемом конденсаторе. [20]

Векторные диаграммы и эквивалентные схемы диэлектрика с потерями. а - последовательная. б - параллельная. [21]

Рассмотрим схему, эквивалентную конденсатору с диэлектриком, обладающим потерями, находящемуся в цепи переменного напряжения. Эта схема должна быть выбрана так, чтобы сктивная мощность, расходуемая в данной схеме, была равна мощности, рассеиваемой в диэлектрике конденсатора, а ток опережал напряжение на тот же угол, что и в рассматриваемом конденсаторе. [22]

Полоса пропускания колебательного контура в зависимости от величины затухания rfj rf2.| Зависимость заряда от напряжения для диэлектрика без потерь ( а, с потерями ( б и для сегнетоэлектрика ( в. [23]

Рассмотрим схему, эквивалентную конденсатору с диэлектриком, обладающим потерями. Эта схема должна быть выбрана с таким расчетом, чтобы активная мощность, расходуемая в данной схеме, была равна мощности, рассеиваемой в диэлектрике конденсатора, а ток был бы сдвинут относительно напряжения на тот же угол, что и в рассматриваемом конденсаторе. [24]

Температурная зависимость удельного объемного сопротивления керамики на основе ВаТЮз. [25]

Полупроводниковые конденсаторы на ВаТЮ3 представляют собой, как это видно из рис. 5 - 2 - 13, пластинку из полупроводниковой керамики, на которую с двух сторон нанесены слои серебра, формирующие с керамикой выпрямляющие контакты с большой барьерной емкостью, обусловленной высокой er ( sr 1000) керамики. При этом барьерные емкости образуют последовательное соединение, и так как направления выпрямления этих контактов противоположны, получается очень эффективная изоляция. Рассматриваемые конденсаторы имеют высокую & Т диэлектрической среды и характеризуются идентичностью характеристик. [26]

Страницы: 1 2