Разделительный блокировочный конденсатор
Cтраница 2
Керамические литые секционные конденсаторы типа КЛС ( рис. 4 - 11, г) предназначены для работы в цепях постоянного, переменного и пульсирующего тока в качестве контурных, разделительных и блокировочных конденсаторов. [16]
Номинальные напряжения разделительных и блокировочных конденсаторов, используемых в радиоаппаратуре на электронных лампах, не должны быть ниже напряжения источника питания анодных цепей, а лучше-на 30 - 40 % выше его. Дело здесь в том, что сразу после включения питания, пока катоды ламп еще не прогреты, выпрямитель некоторое время развивает повышенное напряжение. И если номинальные напряжения таких конденсаторов будут меньше анодного напряжения, их диэлектрики могут оказаться пробитыми. [17]
Большая группа задач посвящена расчету частотных и импульсных характеристик транзисторных усилителей. Даются задачи по расчету разделительных и блокировочных конденсаторов в схемах с емкостной связью, показана связь частотных и импульсных свойств. [18]
 |
Импульсный усилитель. [19] |
Спад плоской вершины импульса обусловлен снижением коэффициента усиления на низких частотах. Частота / и зависит от емкостей разделительных и блокировочных конденсаторов. Поэтому в импульсных усилителях эти конденсаторы имеют большие емкости, чем в усилителях гармонических колебаний. [20]
 |
Внешний вид керамических конденсаторов. а - КТК. б - КДК. [21] |
КОБ, предназначенные для работы в фильтрах. Высоковольтные дисковые сегнетоэлектрические КВДС предназначены для работы в качестве разделительных и блокировочных конденсаторов. Для работы при однополярных импульсах применяются конденсаторы К. [22]
 |
Низкочастотная коррекция цепочкой СфКф. а - принципиальная схема каскада. б - его эквивалентная схема для нижних частот. [23] |
Применение цепей высокочастотной, коррекции позволяет снизить частотные искажения в области верхних частот без потери усиления на средних частотах или при неизменном значении1 У получить большее значение Кср, иначе говоря, повысить площадь усиления. Применение коррекции в области нижних частот позволяет уменьшить частотные искажения при неизменной емкости разделительных и блокировочных конденсаторов либо при том же Ун взять конденсаторы меньшей емкости. [24]
В этом параграфе рассмотрим, как изменяется коэффициент усиления каскада от частоты вследствие влияния разделительных и блокировочных конденсаторов, а также междуэлектродных емкостей лампы, инерционности транзистора и емкостей его р-п-переходов. Учитывая вывод, сделанный в предыдущем параграфе, об отсутствии каких-либо принципиальных различий между коэффициентами усиления по току и напряжению, о чем, в частности, свидетельствует формула (6.71), далее будем рассматривать только коэффициент усиления по току, так как формулы для этого случая более просты. Все полученные при этом результаты будут справедливы и для коэффициентов усиления по напряжению. [25]
Элементами, влияющими на работу в области нижних частот ( больших времен), здесь оказываются разделительные и блокировочные конденсаторы. В этом случае в выражения интересующих нас нормированных характеристик войдут параметры только транзистора Т; транзистор Трт эквивалентен идеальному генератору тока 1с рг, так как влиянием выходной проводимости ( у 22 или hzz) по-прежнему можно пренебречь. [26]
Частичная замена в кристаллической решетке ионов свинц другими ионами сопровождается размыванием максимума е ( Т) и смещением его в сторону более низких температур. Такой же эффект достигается при частичном замещении в решетке титаната бария ионов титана ионами циркония, церия и др. Керамика класса V используется для разделительных и блокировочных конденсаторов. [27]
Страницы: 1 2