Cтраница 1
Плоский конденсатор погружен в несжимаемую жидкость с диэлектрической проницаемостью s и плотностью т так, что его обкладки расположены вертикально. [1]
Плоский конденсатор имеет четыре слоя диэлектриков. Какой из слоев обладает наибольшей энергией электрического поля. [2]
Плоский конденсатор состоит из двух пластин площадью 200 см2 каждая, расположенных на расстоянии 2 мм друг от друга, между которыми находится слой слюды. [3]
![]() |
Внешний вид бумажного конденсатора. [4] |
Плоский конденсатор состоит из двух плоских электродов, разделенных слоем диэлектрика равномерной толщины. [5]
Плоский конденсатор заполнен диэлектриком и на его пластины подана некоторая разность потенциалов. Его энергия при этом равна 2 10 - 5 дж. [6]
Плоский конденсатор состоит из двух параллельных металлических пластин площадью 5 каждая, расположенных на близком расстоянии d одна от другой. [7]
Плоский конденсатор заполнен диэлектриком и на его пластины подана некоторая разность потенциалов. Его энергия при этом равна 2 10 - 5 дж. [8]
Плоский конденсатор содержит двухслойную изоляцию. [9]
Плоский конденсатор, пластины которого велики по сравнению с расстоянием между ними, присоединен к источнику постоянного напряжения. [10]
Плоский конденсатор на половину расстояния между пластинами заполнен диэлектриком. Ход потенциала между пластинами показан на рисунке. Какая часть ( / или 2) заполнена диэлектриком и какой вид примет распределение потенциала после удаления диэлектрика в том случае, когда на пластинах сохраняется заряд, и в том случае, когда сохраняется разность потенциалов. [11]
Плоский конденсатор с вертикально расположенными пластунами, присоединенный к источнику напряжения, погружают в жидкий диэлектрик. [12]
Плоский конденсатор ( рис. 16.49) заполнен неидеальным диэлектриком с ег 5 и ст ст0 - kx, где ста 10 10 См / см, k 0 5 - 10 - 10 См / см2, х - в сантиметрах. [13]
Плоский конденсатор с двумя слоями а и Ъ реального диэлектрика подключается к источнику постоянного напряжения 100 В. [14]
Плоский конденсатор заряжен до разности потенциалов U 100 В. [15]