Cтраница 2
Кроме того, при проектировании таких конденсаторов требуется совместно вычислять удельную емкость и пробивное напряжение, так как каждая из этих величин зависит от удельного сопротивления материала, причем с ростом последнего емкость уменьшается, а пробивное напряжение повышается. Это обстоятельство, идеальное с точки зрения требований, предъявляемых к конструкции транзистора, является неблагоприятным при проектировании интегрального конденсатора, так как для него обычно нужно обеспечивать высокие значения пробивного напряжения и удельной барьерной емкости. Требуемое значение пробивного напряжения определяет тип перехода ( коллектор - подложка, база - коллектор, эмиттер - база), который может быть использован для получения конденсатора, а выбранный тип перехода в свою очередь определяет необходимую площадь подложки для получения заданного номинального значения емкости. [16]
Кроме того, при проектировании таких конденсаторов необходимо совместно вычислять удельную емкость и пробивное напряжение, так как каждая из этих величин зависит от удельного сопротивления материала, причем с ростом последнего емкость уменьшается, а пробивное напряжение повышается. Это обстоятельство, идеальное с точки зрения требований, предъявляемых к конструкции транзистора, является неблагоприятным при проектировании интегрального конденсатора, так как для него обычно необходимо обеспечить высокие значения пробивного напряжения и удельной барьерной емкости. Требуемая величина пробивного напряжения определяет тип перехода ( коллектор - подложка, база - коллектор, эмиттер - база) который может быть использован для получения конденсатора, а выбранный тип перехода в свою очередь определяет необходимую площадь подложки для получения заданной номинальной емкости. [17]
В заключение отметим, что дискретные многослойные и керамические конденсаторы, которые имеют небольшие размеры и значительно более широкий диапазон номиналов емкости, находят все более широкое применение в качестве элементов гибридно-пленочных ИМС. Они присоединяются через предусмотренные контактные площадки непосредственно в структуре пленочных, схем, занимая меньшую площадь подложки, чем аналогичные по емкости интегральные конденсаторы. [18]
Конденсаторы, используемые в интегральных схемах, могут быть трех типов. Первые два типа конденсаторов применяются в полупроводниковых интегральных схемах, третий тип-в гибридных тонкопленочных интегральных схемах. Все типы интегральных конденсаторов характеризуются теми же параметрами, что и дискретные конденсаторы, однако для конденсаторов первого типа существен специфический параметр - коэффициент напряжения, характеризующий зависимость емкости конденсатора от приложенного напряжения. [19]
Оперативные запоминающие устройства выпускают двух основных типов: динамические и статические. Динамические ОЗУ основаны на способности конденсатора хранить заряд в течение некоторого времени. Вследствие малых размеров интегральных конденсаторов, время хранения составляет примерно 1 - 2 мс, и для сохранения информации необходимо осуществлять регенерацию ( перезапись информации) ОЗУ. Емкость динамических ОЗУ колеблется от 1 до 256 К бит. Статические ОЗУ, хотя и не требуют регенерации, имеют меньшую емкость, которая составляет порядка 16 К бит. Планируется выпуск БИС ОЗУ емкостью 1 М бит. [20]
На рис. 1.28 приведен пример схемы симметричного триггера с раздельным запуском, используемого в микросхемах. В состав этого триггера не входят ускоряющие конденсаторы. Это связано с тем, что изготовить интегральный конденсатор достаточно большой емкости весьма сложно. Транзисторы 7, Т2, резисторы Я, R2 и Кк, и R составляют схему собственно триггера. [21]
Для интегральных конденсаторов, формируемых на основе р-я-переходов, сопротивление R определяется в основном сопротивлением области, непосредственно прилегающей к области объемного заряда перехода, так как оно обычно значительно превышает сопротивление области с относительно низким удельным сопротивлением. Конденсатор, рассчитанный на высокое пробивное напряжение, будет иметь меньшую добротность по сравнению с конденсатором, рассчитанным на низкое пробивное напряжение. Тем не менее следует отметить, что даже низковольтный интегральный конденсатор, формируемый на основе р-я-перехода, имеет малую добротность по сравнению с конденсаторами, используемыми в схемах на дискретных элементах. [22]