Cтраница 2
Как показывают наблюдения, количество плен с усадочного конца слитка примерно вдвое больше, чем с донной часта. Внутренние плены усадочного конца обычно более грубые, густо расположенные, имеют значительную протяженность. Плены на этой части трубы удаляются обрезкой конца. Плены средней и донной части - обычно одиночные и неглубокие, часто имеющие вид мелкой чешуи, удаляются вырубкой и зачисткой наждачными кругами. [16]
Если &1, то примеси скапливаются в конце слитка, а верхняя часть кристалла очищается от примеси. [17]
![]() |
Схема устройства для зонной плавки.| Зависимость удельного сопротивления германия ркп типов от концентрации носителей заряда при 20а С. [18] |
Поэтому в результате очистки примеси концентрируются у одного конца слитка, от которого отрезается загрязненная часть длиной 20 - 25 мм. [19]
![]() |
Блок для измерения. [20] |
Из рисунка видно, что примесь концентрируется в конце слитка. [21]
Схема установки приведена на рис. 3.27. Если на одном конце слитка поместить монокристаллическую затравку и перемещать нагреватель от этого конца к другому, то остальная часть слитка, последовательно расплавляясь в зоне и затем кристаллизуясь, будет продолжать стуктуру затравки. [23]
![]() |
Кривые распределения [ IMAGE ] Зависимость абсциссы точки. [24] |
Следовательно, в предположении & const кривая распределения в конце слитка должна быть обязательно с разрывом. В точке gg кривая терпит разрыв. [25]
Если требуется дальнейшая очистка металла, то нижний обогащенный примесями конец слитка надо отрезать. Все это требует значительной затраты времени, что снижает производительность данного метода. [26]
При управляемой кристаллизации оттеснение примеси с / с0 1 к концу слитка будет наиболее эффективным, если на протяжении всего процесса сохраняется равновесие для примеси, находящейся на границе растущего слитка и во всем объеме расплава, а поверхность раздела фаз является плоскостью, нормальной к направлению роста. При этом распределение примеси между фазами описывают при помощи равновесного коэффициента распределения / с0, рассчитанного по формуле ( 24), а входящие в эту формулу величины CL и С являются относительными содержаниями примеси соответственно в однородном расплаве и тонком слое кристалла, примыкающем к границе раздела фаз. [27]
![]() |
Схема процессов кристаллофизи-ческой очистки.| Распределение примеси по дли - Распоелеление ппимеги на. [28] |
Примеси с коэффициентом распределения меньше единицы при направленной кристаллизации накапливаются в конце слитка; примеси с коэффициентом распределения больше единицы накапливаются в начале слитка. [29]
Таким же способом проводят и зонную плавку, оттесняя избыток металла в конец слитка. [30]